FIB技術(shù)主要利用液態(tài)金屬離子源作為高電流密度的離子槍，其小離子束直徑可達(dá)幾個(gè)納米。因此可在納米水平上進(jìn)行快速、準(zhǔn)確的刻蝕納米加工。同時(shí)，利用配置的氣體注入系統(tǒng)（GIS）,可以對(duì)樣品進(jìn)行納米尺度的金屬、絕緣體沉積，并可以對(duì)金屬、絕緣體材料進(jìn)行選擇性腐蝕，因此在對(duì)集成電路進(jìn)行改性、制備納米量子器件、納米集成電路，如單電子量子開關(guān)、納米場(chǎng)效應(yīng)管，準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的量子輸運(yùn)研究，及剖析微器件的橫截面、透射電鏡樣品的制備等半導(dǎo)體、介觀物理研究領(lǐng)域，具有廣泛的應(yīng)用。簡(jiǎn)單綜合起來(lái)，F(xiàn)IB主要具有以下強(qiáng)大功能：

（1）對(duì)微器件進(jìn)行減薄、剝蝕等解剖分析，

利用高電流密度的離子槍，可對(duì)微小樣品進(jìn)行縱深切割、定向鉆孔。因此可對(duì)微器件，尤其是微器件，如磁頭、計(jì)算機(jī)芯片等進(jìn)行剖析；

利用選擇性腐蝕技術(shù)，選擇性地腐蝕金屬或絕緣體，增加器件結(jié)構(gòu)的襯度，便于微器件的剖析；

對(duì)集成電路進(jìn)行改性(IC modification)；

快速、高效地制備微器件的橫截面的透射電鏡樣品，該技術(shù)是目前其它截面電鏡樣品制備技術(shù)所無(wú)法比擬的；

（2）納米加工（Nano Lithography）:

利用納米離子束進(jìn)行金屬、絕緣體的沉積，生成導(dǎo)電極片(conductive pads)，進(jìn)行跡線連接 (connecting traces)，結(jié)合選擇性腐蝕技術(shù)，可制備納米器件，如單電子量子開關(guān)，納米場(chǎng)效應(yīng)二極管；量子點(diǎn)的制備；量子線的制備及其量子輸運(yùn)特性研究，及微機(jī)械結(jié)構(gòu)(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。

ZEISS公司新推出的新一代聚焦離子束電子顯微鏡AURIGA是一臺(tái)高靈活性的CrossBeam工作站，它可以由客戶自主選擇應(yīng)用目的。

獨(dú)特的成像能力

• 在有局部電荷中和器的條件下，可以使用所有的標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器進(jìn)行非導(dǎo)體樣品的成像
• 在一個(gè)包括EsB技術(shù)的獨(dú)特探測(cè)器設(shè)計(jì)中，可同時(shí)探測(cè)形貌和組分信息。
• 具有GEMINI物鏡設(shè)計(jì)，可進(jìn)行磁性樣品的研究

先進(jìn)的分析能力

• 具有局部電荷中和器，可進(jìn)行非導(dǎo)體材料的分析
• 具有15個(gè)附屬接口的多用途樣品室
• 的樣品室?guī)缀卧O(shè)計(jì)，可同時(shí)安裝EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附屬設(shè)備

的處理能力

• 創(chuàng)新的FIB技術(shù)，具有別的分辨率
• 在FE-SEM實(shí)時(shí)監(jiān)控整個(gè)樣品制備的過(guò)程中，具有高的分辨率
• 先進(jìn)的氣體處理技術(shù)，用于離子束和電子束的輔助刻蝕和沉積

客戶自主選擇和未來(lái)的可擴(kuò)展性

• 基于一種全面的模塊化的理念，AURIGA^TM CrossBeam^?工作站可以由客戶自行進(jìn)行選擇，以滿足其今天以及未來(lái)的個(gè)性化應(yīng)用。
• 從一個(gè)高性能的FE-SEM平臺(tái)出發(fā)，這個(gè)系統(tǒng)伴隨著廣泛的可選的硬件和軟件品種而升級(jí)，如：FIB,GIS,局部電荷中和系統(tǒng)和不同的探測(cè)器