非接觸電阻率厚度測(cè)試儀的詳細(xì)信息

• 隔離電壓：(V)
• 工作溫度：(℃)
• 測(cè)量范圍：——(mm)
• 額定功率：——(W)
• 等級(jí)：
• 負(fù)載電阻：≤(KΩ)或≥(KΩ)
• 匝數(shù)比：:
• 效率：(%)
• 線性度：(%)
• 輸出電流：——(A)
• 輸入電流：——(A)
• 頻率特性：

RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測(cè)試系統(tǒng)

RTM660C采用高的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無接觸式測(cè)量，使得測(cè)試過程變得十分高效。系統(tǒng)采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)硅片，測(cè)試數(shù)據(jù)可即時(shí)顯示，并可對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。高電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測(cè)試結(jié)果且穩(wěn)定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產(chǎn)及質(zhì)檢等場(chǎng)所，友好的人機(jī)交互界面，使用相當(dāng)便捷。

技術(shù)參數(shù) ? ? ■ 硅片規(guī)格：
?????方片125x125mm、156x156mm
?????圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測(cè)試功能
?????厚度：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)厚度
?????TTV：總厚度偏差
?????體電阻率：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)體電阻率
■ 測(cè)試指標(biāo)
?????厚度范圍：150～1000μm
?????測(cè)量誤差：≤±1.0μm
?????重復(fù)性：≤±0.20μm
?????TTV范圍：0.00μm～200.00μm
?????測(cè)量誤差：≤±0.50μm
?????重復(fù)性：≤±0.20μm
?????體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
?????測(cè)量誤差：≤±3%
?????重復(fù)性：≤1.5%
■ 設(shè)備尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 測(cè)試環(huán)境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機(jī)