kSA BandiT是一種非接觸、實(shí)時(shí)譜帶吸收式半導(dǎo)體晶片溫度傳感器。它采用譜帶隨溫度變化的半導(dǎo)體材料,可以監(jiān)測高溫計(jì)所不能測量的晶片溫度。
kSA BandiT成功地為MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上安裝了高、多晶片的溫度圖像系統(tǒng)。通過利用kSA BandiT溫度監(jiān)控系統(tǒng)以及復(fù)雜的循環(huán)同步技術(shù),這種新的方案能實(shí)時(shí)提供MBE生長過程中所有晶片的溫度分布全圖。
新的kSA BandiT多晶片溫度監(jiān)控軟件結(jié)合了自動(dòng)伺服馬達(dá)控制的掃描檢測功能,從而為獲得晶片和壓臺(tái)全面的實(shí)時(shí)溫度提供了強(qiáng)大的技術(shù)保證。
該系統(tǒng)是一種能給生長過程中晶片提供實(shí)時(shí)的二維溫度信息。對(duì)Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接的檢測；采用溫度和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收邊沿（譜帶能量）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測量結(jié)果更為準(zhǔn)確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢測。
技術(shù)參數(shù)：
溫度范圍：室溫~1300攝氏度；
溫度重復(fù)性：0.2攝氏度；
溫度分辨率：0.1攝氏度；
穩(wěn)定性：+/-0.2攝氏度；
主要特點(diǎn)：
*實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接的Wafer溫度監(jiān)測；
*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測；
*真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測；
*整合了新的黑體輻射監(jiān)測技術(shù)；
*沉積速率和薄膜厚度分析；
*表面粗糙度分析功能；
*測量激光波長范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）
*避免了發(fā)射率變化對(duì)測量的影響；
*無需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層；
