一、EL的測(cè)試原理
晶體硅太陽(yáng)電池外加正向偏置電壓，電源向太陽(yáng)電池注入大量非平衡載流子，電致發(fā)光依靠從擴(kuò)散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷地復(fù)合發(fā)光，放出光子；再利用CCD相機(jī)捕捉到這些光子，通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理后顯示出來(lái)，整個(gè)的測(cè)試過(guò)程是在暗室中進(jìn)行，通過(guò)分析采集的圖像特種就能分辨出電池片和組件的潛在缺陷。
二、EL圖像分析
1.隱裂
硅材料的脆度較大，因此在電池生產(chǎn)強(qiáng)度決定于正向注入電流密度和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度過(guò)程中，很容易產(chǎn)生裂片，裂片分兩種，一種是顯裂，另一種是隱裂。前者是肉眼可直接觀察到，但后者則不行。后者在組件的制作過(guò)程中更容易產(chǎn)生碎片等問(wèn)題，影響產(chǎn)能。通過(guò)EL圖就可以觀測(cè)到。
2.斷柵
印刷不良導(dǎo)致的正面銀柵線斷開，EL圖中顯示為黑線狀。這是因?yàn)闁啪€斷掉后，從busbar上注入的電流在斷柵附近的電流密度較小，致EL發(fā)光強(qiáng)度下降。
3.燒結(jié)缺陷
一般而言，燒結(jié)參數(shù)沒(méi)有優(yōu)化或設(shè)備存在問(wèn)題時(shí)，EL圖上會(huì)顯示網(wǎng)紋印。采取頂針式或斜坡式的網(wǎng)帶則可有效消除網(wǎng)帶問(wèn)題。
4."黑心"片
直拉單晶硅拉棒系統(tǒng)中的熱量傳輸過(guò)程對(duì)晶體缺陷的形成與生長(zhǎng)起著決定性的作用。提高晶體的溫度梯度, 能提高晶體的生長(zhǎng)速率, 但過(guò)大的熱應(yīng)力極易產(chǎn)生位錯(cuò)。 在“黑心”片的EL圖中可以清楚地看到清晰的旋渦缺陷, 它們是點(diǎn)缺陷的聚集, 產(chǎn)生于硅棒生長(zhǎng)時(shí)期。此種材料缺陷勢(shì)必導(dǎo)致硅的非平衡少數(shù)載流子濃度降低，降低該區(qū)域的EL發(fā)光強(qiáng)度。
5."漏電"問(wèn)題
在電池正面銀漿印刷時(shí)，由于硅片表面存在劃傷，漿料進(jìn)入裂縫的pn結(jié)位置，分選的IV測(cè)試加12V反壓時(shí)，直接導(dǎo)致正面pn結(jié)燒穿短路。因此，EL測(cè)試時(shí)，該區(qū)域顯示為黑色。

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