主要特點(diǎn): |
1. 適用于Si,SiO2,金屬,III-V,物等材料的刻蝕 |
2. 可用于8”wafer,也可用于更小的晶片 |
3. 氣體管路2路,根據(jù)需要多可升級(jí)到8路 |
4. 設(shè)備體積小,操作簡(jiǎn)單 |

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李洪巖先生(聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)說(shuō)明是在維庫(kù)儀器儀表網(wǎng)看到的,謝謝)