主要特點(diǎn): |
1. 可用于300mm wafer及更小的晶片 |
2. 根據(jù)工藝要求,可配備ICP源或微波源及射頻偏壓在低溫下去除剝離的光阻層,是其他同類產(chǎn)品擬的 |
3. 清洗刻蝕速率可達(dá)6um/min,損傷小 |
4. 設(shè)備體積小,節(jié)省空間 |
5. 適用于研究機(jī)構(gòu)的小規(guī)模生產(chǎn) |

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