法國(guó)中束流離子注入機(jī)

l         控制離子束流

l         控制加速電壓

l         占地小

l         操作簡(jiǎn)單

l         運(yùn)行成本低

l         自維護(hù)

l         適合于研發(fā)應(yīng)用

l         適用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2樣品（室溫）

l         4”熱注入模式，溫度可達(dá)600度

l         2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源，可使溫度達(dá)750度

l         1個(gè)Bernas離子源

l         的鋁注入能力

l         一個(gè)主氣箱，配有4個(gè)氣體管路；一個(gè)副氣箱，配有4個(gè)中性氣體管路

l         高價(jià)樣品注入能力

l         注入角0~15度

l         IBS的矢量掃描系統(tǒng)

l         手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入，自動(dòng)25片cette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室

l         遠(yuǎn)程操作控制接觸屏（5米鏈接線纜）

l         輻射低于0.6usv/hour

l         CE

工藝性能

l         2~210keV

l         束流：4”晶片100keV時(shí)，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)

l         劑量范圍：1*10¹¹*10¹⁸~at/cm2

 內(nèi)非均勻性：1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅，注B，100kev，1*10¹⁴at/cm2

 l         片間均勻性：1s ≤ 1 %

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