法國(guó)中束流離子注入機(jī)
l 控制離子束流
l 控制加速電壓
l 占地小
l 操作簡(jiǎn)單
l 運(yùn)行成本低
l 自維護(hù)
l 適合于研發(fā)應(yīng)用
l 適用于4”~6”晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)
l 4”熱注入模式,溫度可達(dá)600度
l 2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,可使溫度達(dá)750度
l 1個(gè)Bernas離子源
l 的鋁注入能力
l 一個(gè)主氣箱,配有4個(gè)氣體管路;一個(gè)副氣箱,配有4個(gè)中性氣體管路
l 高價(jià)樣品注入能力
l 注入角0~15度
l IBS的矢量掃描系統(tǒng)
l 手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入,自動(dòng)25片cette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室
l 遠(yuǎn)程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)
l 輻射低于0.6usv/hour
l CE
工藝性能
l 2~210keV
l 束流:4”晶片100keV時(shí),大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
l 劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2
內(nèi)非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,注B,100kev,1*1014at/cm2
l 片間均勻性:1s ≤ 1 %
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