產地：英國

K650X具有三個磁控管，可對大樣品進行鍍膜，樣品臺可旋轉，均勻沉積。這種方法可利用標準靶面，不需要的大靶面。

這種三頭靶面系統(tǒng)適用于半導體晶片工業(yè)。

本系統(tǒng)磁電管靶使用低電壓，了效率，并且能得到精細的顆粒，由于是冷濺射，所以無需冷卻靶面或樣品臺。

儀器裝有60mm直徑、0.1mm厚的金靶（或用戶選擇），提供適合的性能價格比。

功能集中在儀器面板上及即插即用電子學設計，的“up-time”，這些用戶友好設計滿足了不同學科的用戶需求。

濺射參數(shù)可被預先設置，包括氣體放氣針閥，此閥為電磁閥，具有自動控制，可及重復膜厚沉積。

濺射頭互鎖，系統(tǒng)可容易選配K250鍍碳附件。本儀器為全自動操作，可控制的真空泵。

K650T Turbo Unit與上面相同，但具有渦輪分子泵，抽速60升/秒具有更高及清潔的真空。

特點

● 三個靶面濺射系統(tǒng)
● 全自動控制
● 低電壓濺射
● 高分辨率精細涂層(金顆?？蛇_2 nm)
● 具有傾斜裝置的旋轉臺
● 均勻厚度沉積(掃描電鏡一般厚度為
   20nm 或200埃)
● 225 mm腔室直徑
● 可接膜厚器，實時鍍層厚度

優(yōu)點

● 適合大樣品，如晶圓
● 易操作
● 無需冷卻樣品臺
● 的再次涂層
● 種樣品
● 膜厚度重復性好
● 容易裝載或卸載大樣品—到6英寸晶圓
● 可預設沉積厚度

技術規(guī)格

儀器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H  重量：24公斤
工作腔室：硼硅酸鹽玻璃 225mm Dia x 125mm H
基座： 110 mm直徑x 115mm高
鐘罩：聚碳酸酯
靶：3 x 60 mm 直徑 x 0.1mm 厚(金作為標準靶材)
旋轉臺：直徑為155 mm，可調節(jié)
樣品臺：距離靶面40到50 mm
真空范圍：ATM-1x10^-2 mbar
濺射電流：0-100mA
沉積速率：0-20nm/分
濺射定時： 0-4 分鐘
預設置針閥：控制氬
電源：230 伏 50Hz
(8 amp max. including Pump)