富士通開始樣品供貨的GaN功率器件擊穿電壓150V
有助于更小，更的電源產(chǎn)品，用于電信，工業(yè)設(shè)備，汽車，及其他應(yīng)用
日本橫濱，2013年7月11日- 富士通半導(dǎo)體有限公司今天宣布推出51T008A，，基于硅襯底，氮化鎵（GaN）的電源裝置，具有擊穿電壓為150 V新產(chǎn)品的樣品會(huì)2013年7月開始提供。新的移動(dòng)設(shè)備，從而使常斷操作，能夠?qū)崿F(xiàn)大約一半的基于硅的用一個(gè)等效的擊穿電壓的功率器件的品質(zhì)因數(shù)（FOM）。隨著新產(chǎn)品的陣容增加了，富士通半導(dǎo)體將能夠提供更小，更的電源供應(yīng)器，適用范圍廣的領(lǐng)域，家電和信息通信技術(shù)設(shè)備，汽車應(yīng)用的GaN器件。
51T008A有具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括：1）的通態(tài)電阻為13毫歐，總的柵電荷為16 nC的，用一個(gè)等效的擊穿電壓，使大約一半的硅為基礎(chǔ)的功率器件的FOM; 2）小的寄生電感和高頻率的操作通過(guò)使用WLCSP封裝，以及3）一個(gè)專有的柵的設(shè)計(jì)，使正常的開關(guān)操作。新器件適合用于高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)電源采用的DC-DC轉(zhuǎn)換器，數(shù)據(jù)通信設(shè)備，工業(yè)產(chǎn)品，以及汽車。此外，因?yàn)樗С指叩拈_關(guān)頻率在電源電路中，電源供應(yīng)器可實(shí)現(xiàn)整體的尺寸和效率的。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在2013年7月開始樣品供貨，計(jì)劃在2014年開始批量生產(chǎn)。
除了51T008A，設(shè)有一個(gè)擊穿電壓為150 V，富士通半導(dǎo)體還開發(fā)模型與擊穿電壓為600 V和30 V，從而幫助實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的電源效率在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域。這些GaN功率器件的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術(shù)，該技術(shù)自20世紀(jì)80年代以來(lái)，富士通研究所牽頭制定的基礎(chǔ)上。豐富的IP產(chǎn)品組合的技術(shù)的基礎(chǔ)上，富士通半導(dǎo)體將將其GaN功率器件市場(chǎng)。該公司還計(jì)劃與客戶建立合作伙伴關(guān)系跨越了廣泛的行業(yè)，以進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)。
富士通半導(dǎo)體將的51T008A和其他氮化鎵產(chǎn)品在“TECH-FRONTIER 2013”??上展出，將于7月17-19日在東京Big Sight東京，日本。該公司還計(jì)劃突出其GaN功率器件的性能改進(jìn)，和一個(gè)600 V的擊穿電壓，以及原型和測(cè)試數(shù)據(jù)的2.5千瓦電源采用的GaN功率器件，高頻PFC高頻DC -DC轉(zhuǎn)換器。
主要技術(shù)指標(biāo)
51T008A
| 漏源BreakdownVoltage的 V （BR）DSS | 150V |
| 柵閾值電壓 V GS（TH） | 1.8V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 R DS（ON） | 13mΩ |
| 柵電荷總數(shù)Q ??G | 16NC |
| 包 | WLCSP |
