▲ 低待機功耗：OB2268/OB2269通過的低功    耗間歇工作模式設(shè)計不可以讓整個系統(tǒng)在空 載的狀態(tài)下輕易國際能源機構(gòu)新的推薦 標(biāo)準(zhǔn)，而且允許系統(tǒng)在較輕負載 (約1/30滿載 以下) 的情況下同樣具有耗的性能。

▲無噪聲工作：使用OB2268/OB2269設(shè)計的電源 無論在空載，輕載和滿載的情況下會產(chǎn)生音 頻噪聲。優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作。

▲ 更低啟動電流：OB2268/OB2269 VIN/VDD啟動電流4uA，可地減少系統(tǒng) 啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。

▲ 更低工作電流：OB2268/OB2269的工作電流約為2.3mA，可降低系統(tǒng)的損耗，系統(tǒng)的效率。

▲ 內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置前沿消隱（LEB），可以為系統(tǒng)節(jié)省了一個外部的R-C網(wǎng)絡(luò)，降低系統(tǒng)成本。

▲ 內(nèi)置OCP補償：OB2268/OB2269內(nèi)置了OCP補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的OCP曲線趨向平坦，系統(tǒng)的性價比。 ▲ 完善的保護功能：OB2268/OB2269集成了較完善的保護功能模塊。OVP，UVLO，OCP，恒定的OPP和外部可調(diào)節(jié)的OTP功能可以使系統(tǒng)設(shè)計簡潔，同時滿足安規(guī)的要求。

▲ MOSFET軟驅(qū)動：可的系統(tǒng)的EMI。

▲ 較少的外圍器件：OB2268/OB2269外圍比較簡單，可系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。

▲ OB2269 優(yōu)良的EMI特性：OB2269內(nèi)置的頻率抖動設(shè)計可以很的系統(tǒng)的EMI特性，同時可以降低系統(tǒng)的EMI成本。