PULOM CAP 普隆電子
PCL (PLDCL)系列 平滑濾波電容 直流支撐電容 DC-LNIK電容 鋁殼直流濾波電容 （干式）
電壓:600-2000Vdc
電容量:50-1000μF 螺母引出，底部有安裝支架。單只可以做到1000μF
直流濾波支撐電容器廣泛用于工業(yè)變頻器的濾波單元、電力牽引機車變流單元的濾波支撐、斬波器中的儲能濾波以及中高頻感應加熱的濾波單元等場合
工藝
的金屬化鍍層----漸變方阻
金屬化膜的鍍層是在聚丙烯基膜的一面上經(jīng)過的真空蒸鍍工藝形成，而鍍層的厚薄在薄膜不同的位置是不同的。在連接引出處，增加鍍層厚度可大大電容器處理大電流能力。
同時的金屬化鍍層的結(jié)構(gòu)使得其自愈性能和串聯(lián)電阻變的更為合理，如圖一所示，其實際的結(jié)構(gòu)與電容器的性能需求是相吻合的。
自愈性
由于自愈的特點，電容器在出現(xiàn)過壓或局部電擊穿后仍可正常工作，擊穿產(chǎn)生的微小電弧使得該區(qū)域的金屬層在大約幾微秒內(nèi)被除揮發(fā)。局部電弧產(chǎn)生的高溫使得金屬層被氣化并釋放，通過這個過程，該區(qū)域已經(jīng)變成一個非導電的隔離區(qū)，而電容器仍可正常的連續(xù)工作。
如圖二所示，電容器出現(xiàn)自愈現(xiàn)象的過程
1. 金屬化板 2.聚丙烯膜 3.擊穿點 4.非導電區(qū)域
圖三所示是爆膜的一種，其金屬化板被分割成若干小單元，這些單元之間由熔絲連接。當非自愈性擊穿發(fā)生時，熔絲熔斷，擊穿區(qū)域被切斷并隔離。由于電容器單元由多的小單元（數(shù)量可達幾個）組成，因而被隔離的小單元對電容器的容量影響是微乎其微的。
技術(shù)特點
高性：產(chǎn)品內(nèi)部介質(zhì)單元自身具備自愈、爆功能
大容量范圍：100μF ～10000μF（根據(jù)用戶需要還可以調(diào)整）
高電壓：達10KVDC
低自感：小30mH
低損耗：tanδ×10-4（100Hz，1vrms）
低R
高電流處理能力：dv/dtmax-50v/s
長壽命：可達100,000小時
工作溫度：-25℃～+75℃
存貯溫度：-40℃～+85℃；相對濕度：85%
執(zhí)行標準：IEC1071
規(guī)格尺寸
產(chǎn)品外形通常為矩形結(jié)構(gòu)，具體尺寸主要根據(jù)用戶需求制作
