- 封裝:BGA
- 批號(hào):DDR3
- 數(shù)量:10000
結(jié)構(gòu),零磨損
金線導(dǎo)電,不燒焊盤(pán)和IC
過(guò)壓力保護(hù),導(dǎo)電膠壽命更長(zhǎng)
壓力自適應(yīng),兼容不同厚度的顆粒
限位框可更換,兼容不同大小的內(nèi)存顆粒
參數(shù):
產(chǎn)品型號(hào): DDR3-GF6U63
外殼材質(zhì): 鋁合金, 電木
導(dǎo)電體: 金線導(dǎo)電膠( GCR )
絕緣電阻 : 1000 mΩ? Min,At DC 500V
耐電壓: 700 AC / 1Minute
接觸阻抗: <30 mΩ
機(jī)械壽命: 100,000 Times
工作溫度: From -40℃ to + 155℃
特點(diǎn):
手動(dòng)翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu),省力又方便,零磨損,號(hào):ZL56976.7壓塊浮動(dòng)結(jié)構(gòu),延長(zhǎng)導(dǎo)電膠壽命,適用不同厚度的IC
通用性高,只需換限位框,即可測(cè)試尺寸不同的顆粒(寬度≤13MM 長(zhǎng)度≤16MM)金手指鍍金厚度是普通PCB的10倍(30 μ m),保證測(cè)試治具有更好的導(dǎo)通和耐磨性金線導(dǎo)電膠減短IC與PCB之間數(shù)據(jù)傳輸距離,測(cè)試更穩(wěn)定,頻率可達(dá)2000MHZ,且更換方便,成本更低全新設(shè)計(jì)更薄,不需轉(zhuǎn)接槽可直接插到測(cè)試板上進(jìn)行測(cè)試,頻率衰減更低,減少誤測(cè)













