惠州市乾野電子有限公司
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根據(jù)三管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)性，柵，漏，源，它的特點(diǎn)是柵的內(nèi)阻高，采用二氧化硅材料的可以幾百兆歐，屬于電壓控制型器件
概念:
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.
特點(diǎn):
具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者.
