MOS管有N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，凡柵-源電壓為時漏電流也為的管子，均屬于增強型管；凡凡柵-源電壓為時漏電流不為的管子，均屬于耗盡型管。電路中常用增強型MOS管，其工作原理：當柵-源電壓變化時，將改變襯底靠近緣層處感應電荷的多少，從而控制漏電流的大小。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，晶體管內的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。而的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與n-te磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。對于一個平面結構的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關。對垂直結構的MOSFET來說，元件的面積和其能容納的電流成大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
乾野電子成功的是利用自身能融匯貫通器件與工藝設計的技術優(yōu)勢，專注與國際的8"芯片廠、封裝與測試廠的緊密合作，通過產品在生產和測試過程中的質量控制，大批量生產中，產品的持續(xù)優(yōu)質和穩(wěn)定供貨；同時專注于各產品的應用行業(yè)和領域的研究和并精通，使產品性能的利用化和優(yōu)化。
