MOS管有N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，凡柵-源電壓為時(shí)漏電流也為的管子，均屬于增強(qiáng)型管；凡凡柵-源電壓為時(shí)漏電流不為的管子，均屬于耗盡型管。電路中常用增強(qiáng)型MOS管，其工作原理：當(dāng)柵-源電壓變化時(shí)，將改變襯底靠近緣層處感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏電流的大小。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點(diǎn)都離芯片表面只有幾個(gè)微米的距離。而的功率元件都是垂直式（vertical）的結(jié)構(gòu)，讓元件可以同時(shí)承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個(gè)功率MOSFET能耐受的電壓是雜質(zhì)摻雜濃度與n-te磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數(shù)，而能通過(guò)的電流則和元件的通道寬度有關(guān)，通道越寬則能容納越多電流。對(duì)于一個(gè)平面結(jié)構(gòu)的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長(zhǎng)寬大小有關(guān)。對(duì)垂直結(jié)構(gòu)的MOSFET來(lái)說(shuō)，元件的面積和其能容納的電流成大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
乾野電子成功的是利用自身能融匯貫通器件與工藝設(shè)計(jì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，專(zhuān)注與國(guó)際的8"芯片廠(chǎng)、封裝與測(cè)試廠(chǎng)的緊密合作，通過(guò)產(chǎn)品在生產(chǎn)和測(cè)試過(guò)程中的質(zhì)量控制，大批量生產(chǎn)中，產(chǎn)品的持續(xù)優(yōu)質(zhì)和穩(wěn)定供貨；同時(shí)專(zhuān)注于各產(chǎn)品的應(yīng)用行業(yè)和領(lǐng)域的研究和并精通，使產(chǎn)品性能的利用化和優(yōu)化。
