GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算，徹底摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特性
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023；
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；
c．標(biāo)稱誤差
| A | C |
頻率范圍 | 25kHz～10MHz | 100kHz～10MHz |
固有誤差 | ≤5％±滿度值的2% | ≤5％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7％±滿度值的2% | ≤7％±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz～60MHz | 10MHz～160MHz |
固有誤差 | ≤6％±滿度值的2% | ≤6％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8％±滿度值的2% | ≤8％±滿度值的2% |
2．電感測(cè)量范圍
A | C |
14.5nH～8.14H | 4.5nH～140mH |
3．電容測(cè)量
| A | C |
直接測(cè)量范圍 | 1～460p | 1～205p |
主電容調(diào)節(jié)范圍 | 40～500pF | 18～220pF |
準(zhǔn)確度 | 150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% | 150pF以下±1.5pF 150pF以上±1% |
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用方法。
4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍
| A | C |
頻率范圍 | 10kHz～60MHz | 0.1～160MHz |
CH1 | 10～99.9999kHz | 0.1～0.999999MHz |
CH2 | 100～999.999kHz | 1～9.99999MHz |
CH3 | 1～9.99999MHz | 10～99.9999MHz |
CH4 | 10～60MHz | 100～160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
5．Q合格指示預(yù)置功能：預(yù)置范圍：5～1000
6．Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c.外型尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器：
按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。
例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。
緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。
同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)：
◎ 本公司的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值8nH，100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
