主要特點(diǎn): |
1. 單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片(3”-12”尺寸) |
2. 適用于實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn) |
3. 沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅 |
4. 操作簡單通過打開室蓋,直接將基片裝入工藝室 |
5. 可選配一個(gè)ICP 或三管(Triode)源,三管可獲得更高密度等離子 |
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3. 沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅 |
4. 操作簡單通過打開室蓋,直接將基片裝入工藝室 |
5. 可選配一個(gè)ICP 或三管(Triode)源,三管可獲得更高密度等離子 |