深圳晶博威電子有限公司主要經(jīng)營(yíng)深圳MOS管,深圳MOS管代理,廣泛應(yīng)用于新能源鋰電池平衡板、電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、通訊、電動(dòng)工具、LED照明、逆變器、電源、燈、家電等十幾個(gè)相關(guān)領(lǐng)域。晶博威電子本著誠(chéng)信至上，服務(wù)周到，開(kāi)拓進(jìn)取的經(jīng)營(yíng)方針，憑借具有現(xiàn)貨，庫(kù)存量龐大，種類，價(jià)格實(shí)惠等優(yōu)勢(shì)，發(fā)展成為的電子元器件制造企業(yè)。 眾所周知，由于采用了緣柵，功率MOSFET器件很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導(dǎo)。后，解釋了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的數(shù)據(jù)表。 功率MOSFET結(jié)構(gòu) 圖1為APT N型溝道功率MOSFET剖面圖(本文只討論N型溝道MOSFET)。在柵和源間加正壓，將從襯底抽取電子到柵。如果柵源電壓等于或者高于閾值電壓，柵下溝道區(qū)域?qū)⒎e累多的電子從而產(chǎn)生N型反型層；在襯底形成導(dǎo)電溝道(MOSFET被增強(qiáng))。電子在溝道內(nèi)沿任意方向流動(dòng)。電子從源流向漏時(shí)，產(chǎn)生正向漏電流。溝道關(guān)斷時(shí)，正向漏電流被阻斷，襯底與漏之間的反偏PN結(jié)維持漏源之間的電勢(shì)差。對(duì)于N型MOSFET，正向?qū)〞r(shí)，只有電子流，沒(méi)有少子。開(kāi)關(guān)速度受限于MOSFET內(nèi)寄生電容的充電和放電速率。因此，開(kāi)關(guān)速率可以很快，開(kāi)關(guān)損耗很低。開(kāi)關(guān)頻率很高時(shí)，這讓功率MOSFET具有很高的效率。 聯(lián)系人：夏先生 深圳市晶博威電子有限公司 地址：中國(guó) 廣東 深圳市福田區(qū) 中航路都會(huì)大廈A座10D