一、硅外延的定義
硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有導電類型，電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。
二、硅外延生長工藝的優(yōu)點
1、 生長溫度比它本身的熔點要低
2、 可以獲得、缺陷少的單晶薄層
3、 由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結構的調整
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