JFY2013A MOS管參數(shù)測(cè)試儀詳細(xì)介紹

※概述:

JFY2013A MOS管參數(shù)測(cè)試儀，是一種專門(mén)用于各種N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試的新型測(cè)試裝置。該機(jī)采用新型MCU設(shè)計(jì).可在1S內(nèi)直接測(cè)試出N型MOS管的輸入啟動(dòng)電壓（Vth)和反向擊穿電壓(Bvds),導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson),反向漏電流（Idss,Igss）,跨導(dǎo)（GFS）,跨導(dǎo)測(cè)試電流ID可從1A-85A（脈沖方式）調(diào)節(jié)，BVDS測(cè)試電壓可從50V-2000V調(diào)節(jié)，該機(jī)外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用方便,是電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來(lái)料檢測(cè)的理想工具。 

二、主要技術(shù)性能

1、輸入啟動(dòng)電壓VTH：0.10—20.0V，   ：≤2.5% ,測(cè)試電流: 5檔，0.25MA-2MA,：≤2.5%

2.VDS擊穿電壓BVDS: 0-1500V ：≤2.5% 。

3.BVDS測(cè)試設(shè)置電壓: 0-2000V ：≤5% 。

4，導(dǎo)通內(nèi)阻（Rson）: 0-10r,小分辨率：0.1mr：≤5% 。

5，導(dǎo)通內(nèi)阻（Rson）VGS設(shè)置電壓: 0-12V ,分10檔，：≤1% 。

6，導(dǎo)通內(nèi)阻（Rson）ID測(cè)試電流設(shè)置: 0-30A ,分10檔，：≤5% 。

7，跨導(dǎo)（Gfs）：0-999 ：≤5% 

8，跨導(dǎo)（Gfs）VDS測(cè)試電壓: 2-22V ,分16檔，：≤5% 。

9，跨導(dǎo)（Gfs）ID測(cè)試脈沖電流: 1-85A ,分25檔，：≤5% 脈沖寬度<200us,占比2% 。

10、IDSS IGSS漏電電流,分8檔，0.01MA-0.5MA之間調(diào)節(jié)，大于設(shè)定值漏電指示亮。  ：≤5%。

11、電源電壓：AC220V，50HZ，      功率：≤60W。

12、工作環(huán)境：0—40°C，   相對(duì)濕度：≯85% 。

13、外形尺寸：230×170×110mm 。

14、重量：約1.6 Kg 。

三、主要測(cè)試功能

1、自動(dòng)測(cè)試方式，儀器根據(jù)被測(cè)管的內(nèi)阻來(lái)自動(dòng)設(shè)定各個(gè)參數(shù)項(xiàng)的測(cè)試條件進(jìn)行測(cè)試，并將測(cè)試結(jié)果直接顯示出來(lái)。

2、手動(dòng)測(cè)試方式，手動(dòng)設(shè)定測(cè)試條件，并根據(jù)設(shè)定好的測(cè)試條件進(jìn)行測(cè)試，并將測(cè)試結(jié)果直接顯示出來(lái)。

3, 電流ID測(cè)試，可以測(cè)試MOS管的電流是否指標(biāo)。

4，導(dǎo)通內(nèi)阻特性測(cè)試，可以測(cè)試輸入電壓VGS從 1V-12V時(shí)導(dǎo)通內(nèi)阻RSON的變化情況。

5，好壞功能聲音提示，當(dāng)被測(cè)管，只要漏電不標(biāo)，不擊穿，開(kāi)路現(xiàn)象，即測(cè)試結(jié)果自動(dòng)聲音提示。