HID2系列硅探測(cè)器（Si　Detectors）
　　特點(diǎn)：
　　探測(cè)器室設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)安裝尺寸，可與衡工儀器的相關(guān)產(chǎn)品配套使用
　　其中HID219采用日本濱松器件，HID230采用國(guó)產(chǎn)器件
　　技術(shù)參數(shù)：
　　型號(hào)名稱（Model）  HID219紫外增強(qiáng)型硅探測(cè)器  HID230普及型硅探測(cè)器
　　感光面積（Active　Area）  100（10×10）mm2  100（10×10）mm2
　　波長(zhǎng)使用范圍（Spectral　Range）  190-1100　nm  300-1100　nm
　　峰值波長(zhǎng)（Peak　Wavelength）  960　nm  800±20　nm
　　峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度（Peak　Re）  0.5　A/W  >0.4　A/W
　　200nm的響應(yīng)度（200nm　Re）  0.1-0.12　A/W  -------
　　響應(yīng)時(shí)間（Re　Time）  3μs  -------
　　工作溫度范圍（Working　Temperature）  -20～＋60℃  -------
　　儲(chǔ)存溫度范圍（Store　Temperature）  -20～＋80℃  -------
　　分流電阻（Shunt　Resistance）RSH  200（>50）MΩ  -------
　　等效噪聲功率NEP  1.8×10-14W/√Hz  -------
　　暗電流（Dark　Current）（25℃；-1V）  2×10-10　A  1×10-8~5×10-11　A
　　結(jié)電容（Terminal　Capacitance）  1100　pf（VR＝0V，f＝10KHz）  <3000　pf（-10V）
　　重量（Weight）  0.18kg