場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為單性晶體管，以它的單載流子型作用對(duì)比雙性晶體管（bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙性晶體管比場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙性晶體管要晚造出，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙性晶體管早。?


操作原理


MOSFET的：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容
金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基的硅，而其上則是作為柵的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個(gè)電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵多晶硅與基的硅則成為MOS電容的兩個(gè)端點(diǎn)。
當(dāng)一個(gè)電壓施加在MOS電容的兩端時(shí)，半導(dǎo)體的電荷分布也會(huì)跟著改變。考慮一個(gè)P型的半導(dǎo)體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當(dāng)一個(gè)正的電壓VGB施加在柵與基端（如圖）時(shí)，空穴的濃度會(huì)減少，電子的濃度會(huì)增加。當(dāng)VGB夠強(qiáng)時(shí)，接近柵端的電子濃度會(huì)過空穴。這個(gè)在P型半導(dǎo)體中，電子濃度（帶負(fù)電荷）過空穴（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）。
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個(gè)完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個(gè)提供多數(shù)載流子（majority carrier）的源以及接受這些多數(shù)載流子的漏。
?
溫馨提示：
 為了保障買家的利益，請(qǐng)咨詢后再付款。電子元件是型的產(chǎn)品，技術(shù)含量較高，由于本身可能存在著多種品牌，后輟與封裝，所以可能導(dǎo)致參數(shù)與性能的差異，部分產(chǎn)品是以小包裝或者沒拆包裝出售等問題，請(qǐng)您在購買我們?cè)?，將您所需產(chǎn)品的品牌、封裝，后輟，規(guī)格跟店家聯(lián)系落實(shí)后再進(jìn)行交易！
    我們擁有的質(zhì)量管理體系，所銷產(chǎn)品均為原裝（原廠原包裝），合歐盟 RoHS指令 ,可出具性和ROHS（SGS）。