選用串行閃存的理由:
(1)能夠減少微處理器的封裝管腳數(shù)目;
?。?)線路板(PCB)可以更小,更簡(jiǎn)單;
(3)能夠減少系統(tǒng)電路切換噪聲;
?。?)能夠減低系統(tǒng)功能及制造成本。
其他說明
| 型號(hào) | 容量 | 電壓 | 頻率 | 封裝 |
| W25X10BVSNIG | 1M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC8 |
| W25X20BVSNIG | 2M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC8 |
| W25X40BVSNIG | 4M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC8 |
| W25Q80BVSSIG | 8M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC8 |
| W25Q16BVSSIG | 16M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC8 |
| W25Q32BVSSIG | 32M-bit | 2.7-3.6V | 104MHz | SOIC8 |
| W25Q6VSFIG | 64M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC16 |
| W25Q128BVFIG | 128M-bit | 2.7-3.6V | 100MHz | SOIC16 |








