主要技術(shù)特點(diǎn)-
自校標(biāo)功率計(jì)
-大尺寸探測(cè)器區(qū)域
-寬波段紅外與太赫茲測(cè)量
-適用于多類型的紅外、太赫茲與MMW 源
電子二管(Gunn,iMPATT,TUNNETT)
BWO
QCLs 激光
分子激光
自由電子激光
-易于使用
開啟了寬范圍太赫茲測(cè)量的新領(lǐng)域
實(shí)驗(yàn)室與工業(yè)的太赫茲和亞太赫茲應(yīng)用新領(lǐng)域
-科研測(cè)量與工業(yè)研發(fā)
-連續(xù)與脈沖光源的測(cè)量與優(yōu)化
-光學(xué)表征與工業(yè)材料
-非破壞性檢測(cè)的主動(dòng)成像與斷層掃描
可選采集模式
典型技術(shù)參數(shù)@0.1 THz
參數(shù) TeraPOWER TP-Milli TeraPOWER TP-Nano
尺寸60x60x70mm3
工作溫度Room temperature
電壓None
接入BNC/RS232 BNC/RS232/GPiB
探測(cè)區(qū)1-25mm(根據(jù)需要)
數(shù)據(jù)采集模式毫米波模擬計(jì)算機(jī)采集Nano 電壓計(jì)計(jì)算機(jī)采集
光譜范圍0.1-30THz(l0μm-3mm)0.1-30THz(l0μm-3mm)
小測(cè)量信號(hào)<100μw<1μw
靈敏度(整個(gè)太赫茲波段)0.1 v/W 1 v/W
測(cè)量誤差10μw<0.1μw








