吉時(shí)利keithley 2651A高功率數(shù)字源表 脈沖功率，200W直流功率，源和阱±40V和±50A
2651A大電流源表單元和其他2600系列源表單元一樣，提供了一個(gè)高度靈活的，四象限工作的電壓/電流源和精密的電壓和電流表。它們均可用于：
* 半導(dǎo)體材料和器件的特性分析；* 電壓或電流的波形發(fā)生器；
* 電壓或電流的脈沖發(fā)生器；
* 精密的電源；
* 真實(shí)的電流源；
* 數(shù)字測量儀器；（DC V，DC I，電阻和功率）；
* 精密電子負(fù)載
主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)
- 源（Source）或阱（Sink）的能力：
—的脈沖功率（±40V，±50A）
—200W的DC功率（±10V@±20A，±20V@±10A，±40V@±5A） - 2臺(tái)并聯(lián)使用，可以產(chǎn)生±40A的直流或±100A的脈沖電流（小脈寬100μs），2臺(tái)串聯(lián)使用,可以產(chǎn)生±80V的電壓；
- 測試功率MOSFET器件的導(dǎo)通阻RDSON的指標(biāo)100μΩ；
- 可以輸出高的脈沖電流，以減少器件的自熱效應(yīng)；
- 1pA的分辨率可以進(jìn)行精密的低的漏電流測試；
- 1μs每點(diǎn)，18bit的采樣，可以對瞬態(tài)現(xiàn)象進(jìn)行的特性分析；
- 1%-100%的脈沖占空比；
- 包括TSP Express特性測試軟件，Labview驅(qū)動(dòng)；
- Keithley ACS測試軟件支持；
- 功率半導(dǎo)體，HBLED以及光器件的特性分析和測試；
- 功率MOSFET器件的導(dǎo)通阻測試（RDSON）；
- GaN，SiC和其他化合物材料和器件的特性分析；
- 高電流，高功率的器件測試；
- 半導(dǎo)體結(jié)溫特性；
聯(lián)系人：苗先生
