平面濺射陰
特點：
1、采用的磁路設(shè)計，傳統(tǒng)模式，更合磁控濺射的理念。
2、采用的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以內(nèi)置、外置，更合使用要求。
3、更高的濺射率，離子密度更強。
4、更高的利用率，40%以上。
5、尺寸范圍：300-3000mm區(qū)間，保持一致的均勻性
6、使用范圍：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬質(zhì)涂層、裝飾性膜層。
特點：
1、采用的磁路設(shè)計，傳統(tǒng)模式，更合磁控濺射的理念。
2、采用的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以內(nèi)置、外置，更合使用要求。
3、更高的濺射率，離子密度更強。
4、更高的利用率，40%以上。
5、尺寸范圍：300-3000mm區(qū)間，保持一致的均勻性
6、使用范圍：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬質(zhì)涂層、裝飾性膜層。
