本設(shè)備是利用真空磁控濺射鍍膜方式，可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、III-V族化合物、金屬等材料表面鍍制各種金屬、非金屬、化合物薄膜材料。如Al、Au、Pt、Cr、Ti、Ni、Cu、NiCr、TiW、W、SiO、AlO、TaN、ITO、AZO等，沉積的薄膜具有良好的均勻性、附著力，設(shè)備具有濺射速率快、基片升溫低、加熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
　　設(shè)備配置如下：
　　序號(hào)  項(xiàng)目  基本型  LOADLOCK型
　　1  鍍膜室尺寸  ∮500  ∮500
　　2  真空室數(shù)量  1  2
　　3  鍍膜方向  上垂直安裝陰，向下濺射  上垂直安裝陰，向下濺射
　　4  陰尺寸  ∮50、∮100、∮160  ∮50、∮100、∮160
　　5  陰數(shù)量  2-6個(gè)  2-6個(gè)
　　6  真空系統(tǒng)  粗抽＋分子泵組  粗抽＋分子泵組
　　7  工藝氣體路數(shù)  4路  4路
　　8  壓力檢測(cè)  MKS　1Torr  MKS　0.5Torr
　　9  限真空度  8*10-5Pa  8*10-5Pa
　　10  鍍膜電源  直流、中頻、射頻  直流、中頻、射頻
　　11  加熱溫度  350度  350度
　　12  膜層數(shù)量  單層-多層  單層-多層
　　13  膜層種類  金屬膜、反應(yīng)膜、緣膜  金屬膜、反應(yīng)膜、緣膜
　　14  樣片尺寸  8寸  8寸
　　15  樣片數(shù)量  單片為主  單片為主
　　16  濺射不均勻性  ≤±5%  ≤±3%
　　17  控制系統(tǒng)  PC＋PLC  PC＋PLC
　　18  控制方式  自動(dòng)＋手動(dòng)  自動(dòng)＋手動(dòng)