4.變頻器用GTR的選用⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來(lái)選擇。Uceo≥2廠2U 在電源電壓為380V的變頻器中，應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來(lái)選擇 Icm≥2廠2 In GTR是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率，這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT1、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（POWER MOSFET） 它的3個(gè)分別是源S、漏D和柵G其工作特點(diǎn)是，G、S間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。但是，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在擊穿電壓和電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)。2、 緣柵雙晶體管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵為緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)分別是集電C、發(fā)射E和柵G。工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge,輸入阻很高，柵電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電電流I。至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電飽和電流已過(guò)1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已250KVA以上。
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