現(xiàn)代射頻信號(hào)發(fā)生器運(yùn)用的能力，可為要求苛刻的測(cè)量生成各種射頻信號(hào)，須同時(shí)具備良好的信號(hào)質(zhì)量和較高的靈等特征。易新翔科技推出的射頻信號(hào)發(fā)生器，基于現(xiàn)代軟件無(wú)線電技術(shù)，利用集成度的FPGA、DSP、ARM和RFIC及ADC/DAC芯片，很好地具備了這些特征。還同時(shí)滿足了客戶低碳、小體積的期望。ENF系列射頻信號(hào)發(fā)生器支持當(dāng)今幾乎RF調(diào)制格式，內(nèi)部調(diào)制帶寬達(dá)100MHz，外部調(diào)制帶寬達(dá)200MHz。載波頻率支持DC~2.7GHz。相位噪聲-108dBc/Hz (1GHz CW，20KHz offset)，目前國(guó)內(nèi)水準(zhǔn)。而價(jià)格國(guó)際傳統(tǒng)儀器頭的1/2。
本公司射頻信號(hào)發(fā)生器分為：ENF850X（帶模擬調(diào)制，不帶數(shù)字調(diào)制信號(hào)）；ENF860X（帶模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制信號(hào)）；ENF880X（帶顯示屏，帶模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制信號(hào)）一共三個(gè)系列，希望客戶能按照自己需求來(lái)選購(gòu)，歡迎用戶來(lái)人來(lái)函咨詢。
射頻信號(hào)發(fā)射信號(hào)發(fā)生器的主要產(chǎn)品性能：
1．射頻輸出頻率范圍DC ~ 2.7GHz
2．內(nèi)部可選的基帶信號(hào)源支持目前幾乎的模擬調(diào)制格式
3．低的相位噪聲，-108dBc/Hz（1GHz CW，20KHz offset）
4．優(yōu)異的諧波抑制性能， - 50dBc
5．很高的輸出功率電平，20dBm( DC ~ 2.7GHz)
6．價(jià)格國(guó)際傳統(tǒng)儀器頭的1/2
7．內(nèi)部調(diào)制帶寬達(dá)100MHz
8．外部調(diào)制帶寬達(dá)200MHz
9．軟件無(wú)線電架構(gòu)，輕松支持未來(lái)升級(jí)
10．可選的內(nèi)部基帶信號(hào)發(fā)生器，可支持ARB信號(hào)產(chǎn)生，擁有128Msample的存儲(chǔ)深度
11．開(kāi)發(fā)的API接口，輕松支持客戶的二次開(kāi)發(fā)
12．低碳、小體積
13．可為用戶定制信號(hào)格式
（可參照AgilentN9310A，R&SSMC100A）
輸出頻率(Frequency)：
頻率范圍：CW模式：DC ~ 2.7GHz；I/Q模式：1MHz ~ 2.7GHz
設(shè)定時(shí)間：U2.0模式：<3ms；List模式：<1ms
頻率分辨率（步長(zhǎng)）：CW模式：3Hz；I/Q模式：1uHz
電平（Level）：
輸出功率：1 MHz< f ≤ 3 GHz：20dBm；3 GHz < f ≤ 6 GHz：18dBm
小輸出功率：1 MHz< f ≤ 3 GHz：-136dBm；3 GHz < f ≤ 6 GHz：-133dBm
功率誤差：1 MHz< f ≤ 3 GHz：0.5dB；3 GHz < f ≤ 6 GHz：0.6dB
設(shè)定時(shí)間：U2.0模式：<3ms；List模式：<1ms
頻譜純度（Spectral purity）：
諧波（Harmonics）：CW模式：8dBm < –40 dBc
非諧波（nharmonics）：CW, level > –10 dBm, > 10kHz carrier offset,f ≤ 1500 MHz：< –70 dBc, –86 dBc (t.)
單邊帶相位噪聲（Sphase ise）：20 kHzcarrier offset, 1 Hz measurement bandwidth, CW
f = 1 GHz：< –108dBc
寬帶噪聲（Widebandise）：level > 5dBm, >10 MHz carrier offset,1 Hz measurement bandwidth, CW：< –152 dBc
支持的模擬調(diào)制格式（Supported ogmodulation modes）：
AM：standard
FM/φM：Maximum FMdeviation：16 MHz；Maximum φM：160 rad
脈沖調(diào)制（Pulsemodulation）：
ON/OFF ratio：> 90 dB
Rise/fall time：10 % to 90 % of RF amplitude <20 ns, 4 ns (t.)
Minimum pulse width：Internal pulse generator 10 ns
正交調(diào)制（I/Q modulation）：
內(nèi)部數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)（額外的選項(xiàng)）：
GSM/EDGE/EDGE Evolution, 3GPP FDD incl.
HSPA/HSPA+,
TD-SCDMA,
CDMA2000®,
1xEVDO,
EUTRA/LTE,
WiMAX?,
WLAN IEEE
GPS,
Bluetooth ® EDR and LE,
XM Radio?,
SIRIUS Radio,
HD Radio? 2),
FM stereo/RDS,
DAB/T-D, DVB-H/DVB-T,
multicarrier CW
自定義數(shù)字調(diào)制波形（ENF850X不具備該功能）：
ASK, FSK, BPSK, QPSK, QPSK 45° offset,OQPSK,π/4-QPSK, π/2-DBPSK, π/4-DQPSK,
π/8-D8PSK, 8PSK , 8PSK EDGE, 16QAM,32QAM,64QAM, 256QAM, 1024QAM
I/Q調(diào)制器帶寬（RF）：
內(nèi)部100 MHz；外部200 MHz
存儲(chǔ)深度：128 Msample
DAC分辨率：16bit
ACLR：WCDMA 3GPP FDD, TM 1/64 60 dBc (t.)
EVM ：
WCDMA 3GPP FDD, TM 1/64：1 % (meas.)
WiMAX? IEEE 802.16e：1 % (meas.)
EUTRA/LTE：1 % (meas.)
外接端口（Connectivity）：
外圍設(shè)備：U 2.0 ()
RF接口：SMA
I / Q輸出端口（LF輸出）：2 x SMA
GPIO：40PIN
實(shí)測(cè)值：表示在設(shè)計(jì)階段測(cè)量的性能特征，進(jìn)而可與預(yù)期性能進(jìn)行比較，如幅度漂移間的變化。該數(shù)據(jù)并非數(shù)據(jù)，并且是在室溫（約25℃）條件下測(cè)量所得。供參考。
注：如無(wú)另行說(shuō)明，圖表來(lái)自于多臺(tái)儀器在室溫下所測(cè)量的結(jié)果。
