代理TriQuint 6W離散大功率 氮化鎵（GaN）在SiC HEMT TGF2023-01
深圳立維創(chuàng)展是Triquint國內(nèi)代理，是Triquint全系列微波產(chǎn)品的供應(yīng)商！代理銷售Triquint全系列高性射頻微波元器件。
依托加拿大分公司交通樞紐的便利，以及與北美生產(chǎn)廠家多年的合作關(guān)系，除公司已有的20,000余條原裝庫存，還有的歐美庫存資源可供調(diào)劑?？蔀閲性盒！⒅圃靻挝惶峁┚邇r(jià)格優(yōu)勢的高性電子元器件。
產(chǎn)品外觀：
基本參數(shù)：(不建議用于新設(shè)計(jì))
l 頻率范圍：直流到18 GHz
l 38 dBm的額定PSAT在3 GHz
l 66％PAE
l 18 dB的額定功率增益為3 GHz
l 補(bǔ)償：VD = 28 -32 V，IDQ = 125 mA時(shí)，VG = -3.6 V典型
l 工藝：0.25微米碳化硅功率GaN
l 芯片尺寸：0.82 x 0.66 x 0.10毫米
應(yīng)用領(lǐng)域：
l 寬帶無線
l 軍事
其他參數(shù)：
產(chǎn)品描述：
TriQuint公司TGF2023-01是一個(gè)離散的1.25毫米甘SiCHEMT經(jīng)營從DC至18 GHz。部分設(shè)計(jì)使用TriQuint的成熟的0.25微米GaN的生產(chǎn)過程。這個(gè)過程具有的場板技術(shù)，高漏偏置操作條件優(yōu)化微波功率和效率。
該設(shè)備通常提供38 dBm的飽和輸出功率為3 GHz的功率增益為18 dB。的功率附加效率為66％，這使得的TGF2023的01適當(dāng)率的應(yīng)用程序。該器件是無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
更多型號(hào)：
T1G-FS
TGF4124
TGF2960-SD
TGF2961-SD
TGF4118
T1G-Q3
T1G-Q3
T1G-FS
TGF4112
TGF4250-SCC
TGF4260-SCC
TGF4230-SCC
TGF4240-SCC
TGF2021-01
TGF2021-02
TGF2021-04
TGF2021-08
TGF2021-12
TGF1350-SCC
TGF2023-01
TGF2023-02
TGF2023-10
TGF2023-20
TGF2022-06
TGF2022-12
TriQuint半導(dǎo)體公司采用砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波(SAW)和體聲波(BAW)技術(shù)設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的射頻解決方案，滿足客戶需求。專門為移動(dòng)設(shè)備，3G和4G蜂窩基站，WLAN，WiMAX，GPS，國與航空等領(lǐng)域的客戶提供各種服務(wù)。
竭誠歡迎廣大客戶與我們聯(lián)系!
業(yè)務(wù)咨詢：梅先生
電話： / 傳真：
QQ：1912856821 / 郵箱:
公司網(wǎng)站：www.leadwayic.com.cn / www.leadwaytk.com
