BFQ591

BFQ591硅頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于philips公司，現(xiàn)在國內(nèi)也有公司生產(chǎn)。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的微波相控陣?yán)走_(dá)功率放大器件生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指標(biāo)同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。

BFQ591參數(shù)

類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管 　　集電-發(fā)射電壓VCEO：15V

集電-基電壓VCBO:20V           發(fā)射-基電壓VEBO:3.0V

集電直流電流IC:200mA            總耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W

工作結(jié)溫Tj:150℃         貯存溫度Tstg:-65~150℃

封裝形式：SOT-89           功率特性：率        性：NPN型

結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散型    材料：硅(Si)        封裝材料：塑料封裝 

電性能參數(shù)（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系數(shù)hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA

集電-基截止電流ICBO:100nA(值)

發(fā)射-基截止電流IEBO:100nA(值)

特征頻率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA

集電允許電流IC：0.2（A）

集電允許耗散功率PT：2.25（W）

功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

反饋電容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。