去膠工藝是微加工實(shí)驗(yàn)中一個(gè)非常重要的過程。在電子束曝光、紫外曝光等微納米加工工藝之后，都需要對(duì)光刻膠進(jìn)行去除或打底膜處理。光刻膠去除的是否干凈徹底、對(duì)樣片是否有損傷等問題將直接影響到后續(xù)工藝的順利完成。德國ALPHA PLAMSA擁有多年的去膠經(jīng)驗(yàn)，致力于給您提供的微波等離子體去膠機(jī)系統(tǒng)，并提供的技術(shù)支持服務(wù)。

桌面式微波等離子體去膠機(jī)                      立式微波等離子體去膠機(jī)

 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

• 去膠快速徹底

• 對(duì)樣片無損傷

• 操作簡(jiǎn)單安全

• 設(shè)計(jì)緊湊美觀

• 產(chǎn)品性價(jià)比高

 產(chǎn)品用途：

• 高劑量離子注入光刻膠的去除

• 濕法或干法刻蝕前后的去殘膠

• MEMS中犧牲層的去除

• 去除化學(xué)殘余物

• 清除浮渣工藝

  SU-8膠的去除：

  MEMS工藝中經(jīng)常用到SU8光刻膠，然而SU8非常穩(wěn)定，其致命的缺點(diǎn)就是去膠困難。為了解決SU-8光刻膠的去膠問題，我們向您推薦德國Alpha Plasma的SU-8微波等離子體去膠機(jī)，該設(shè)備采用氟基氣體的去膠工藝，利用氟基氣體與SU-8膠的化學(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)快速去除SU-8功能。同時(shí)設(shè)備中還集成了溫控系統(tǒng)，去膠過程中對(duì)襯底溫度的控制保證了高深寬比金屬結(jié)構(gòu)的完整性，終實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量MEMS器件的制備。SU-8去膠速率驗(yàn)收指標(biāo)為1μm/min，實(shí)驗(yàn)中可達(dá)到幾個(gè)微米。因此這款的SU8去膠機(jī)是MEMS去膠工藝的理想選擇。