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2018 年VR 頭戴裝置將達(dá)4,300 萬(wàn)臺(tái)：資策會(huì)MIC 日前在2017 資通訊產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)回顧與前瞻記者會(huì)上預(yù)估2018 年VR HMD 出貨量將達(dá)到4,300 萬(wàn)臺(tái)，相較于今年將成長(zhǎng)3,000 萬(wàn)臺(tái)以上。
2020 年中國(guó)將消耗四成NAND Flash：DRAMeXchange 預(yù)估2017 年中國(guó)市場(chǎng)所消耗的NAND Flash 量將占30%以上，2020年將占逾40%。
英特爾正式發(fā)布第七代酷睿處理器：芯片巨頭英特爾正式發(fā)布了全新第七代酷睿處理器，這一代處理器的微架構(gòu)代號(hào)為KabyLake，主要是用于代替2015 年發(fā)布的第六代酷睿芯片的Skylake 微架構(gòu)。Skylake 架構(gòu)基于14nm 工藝制程，功率和性能提升明顯。
臺(tái)積電將推出GaN 快充芯片：臺(tái)積電協(xié)同合作伙伴戴樂(lè)格半導(dǎo)體（DialogSemiconductor），將于明年第1 季推出首顆氮化鎵（GaN）手機(jī)快充晶片，該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時(shí)間減半等優(yōu)勢(shì)，適用于手機(jī)及平板等行動(dòng)快充。
美國(guó)Vishay BLH過(guò)程測(cè)量?jī)x
ALPHA
Expert Series Load Cells
C3P2-1T
C3P2-15T
C3P2-25T
C3P2-50T
C3P2-B-20000LB
308A-4-CP總線盒
C3P2-II-2K or 3K
CSB2000-C
C3P2-11-30K
C3P2-II-50K
C3P2-II-100K
C3P2-
C3P2-20K/30K
LCP-100 放大器
C2P1-50K
C2P1-500K(線長(zhǎng)10英尺）
C2P1-500K(線長(zhǎng)３0英尺）
4310A
C2P1-50000 lb
C2P1-50000 lb線長(zhǎng)10M
KIS Beam Load Cell Weigh Modules
KDH-3B Weigh Modules
KDH-1B High Capacity Weigh Modules
Z-BLOK Weigh Modules
LPT Low Profile Load Lells
中國(guó)移動(dòng)于今年2月宣布啟動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心。為構(gòu)建一個(gè)跨行業(yè)的融合生態(tài)系統(tǒng)，以在4G向5G的演進(jìn)過(guò)程中搶占先機(jī)，中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心正聯(lián)合通信企業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)及垂直應(yīng)用行業(yè)合作伙伴，將創(chuàng)新目標(biāo)鎖定于基礎(chǔ)通信能力、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、云端機(jī)器人、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等六大重點(diǎn)領(lǐng)域,合力推動(dòng)基礎(chǔ)通信能力的成熟、孵化融合創(chuàng)新應(yīng)用和產(chǎn)品。
CSB2000-C目前，中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心的42家成員包括5家通信設(shè)備廠商、9家終端/芯片類廠商、5家儀器儀表廠商、18家垂直行業(yè)廠商及5家垂直領(lǐng)域創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)型企業(yè)，傳統(tǒng)通信行業(yè)及垂直行業(yè)，正在由單一領(lǐng)域的創(chuàng)新轉(zhuǎn)變?yōu)榭珙I(lǐng)域的協(xié)同創(chuàng)新。
供應(yīng)美國(guó)motorola/freescale壓力傳感器MPX5500DP及相關(guān)傳感器產(chǎn)品，如下：
MPX10D MPX10DP MCSB2000-CPX10GP MPX10GS MPXV10GC6U MPXV10GC7U MPX12D MPX12DP MPX12GP MPX2010D MPX2010DP MPX2010GP MPXT2010G7U MPX2050D MPX2050DP MPX2050GP MPX2050GVP MPX2050GS MPX2050GSX MPX2050GVSX MPX2053D MPX2053DP MPX2053GP MPX2100A MPX2100DP MPX2100AP MPX2100AS MPX2100ASX MPX2102A MPX2102D MPX2102DP MPX2102AP MPX2102GP MPX2102GVP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MPX2200AP MPX2200GP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MP2200AP MPX2200GP MPX21002A MPX2102D MPX2102DP MPX2102AP MPX2102GP MPX2102GVP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MPX2200AP MPX2200GP MPX2201GP MPX2300DT1 MPX4080D MPX4100A MPXA4100A6U MPX4100AP MPXA4100A6U MPX4100AS MPX4101A MPXA4101AC6U MPX4105A MPX4115A MPXA4115A6U MPX4115AP MPXA4115AC6U MPX4115AS MPX4200A MPX4200AP MPX4200SA MPX4200ASX MPX4250A MPX4250AP MPX4250A6U MPXA4250A6T1 MPXA4250AC6U MPXA4250AC6T1 MPX4250D MPX4250GP MPX4250DP MPX5010D MPX5010DP MPX5010GP MPX5010GS MPX5010GSX MPXV5010G6U MPXV5010G7U MPXV5010GC6U/T1 MPXV5010GC7U MPX5050D MPX5050DP MPX5050GP MPX5100A MPX5100D MPX5100DP MPX5100AP MPX5100GP MPX5100GVP MPX5100AS MPX5100GS MPX5100GVS MPX5100ASX MPX5100GSX MPX5100GVSX MPX53D MPX53GP MPX5500D MPX5500DP MPX5700D MPX5700A MPX5700DP MPX5700GP MPX5700AP MPX5700GS MPX5700AS MPX5999D MPXA6115A6U MPXA6115AC6U MPXA6115A MPXA6115A6T1 MPXA6115AC6T1 MPXAZ4100A6U MPXAZ4100A MPXAZ4100A6T1 MPXAZ4100AC6U MPXAZ4100AC6T1 MPXAZ4115A6U MPXZ4115A MPXAZ4115A6T1 MPXAX4115AC6U MPXAZ4115AC6T1 MPXC2011DT1 MPXM2010D MPXM2010DT1 MPXM2010GS MPXM2010GST1 MPXM2053D MPXM2053DT1 MPXM2053GS MPXM2053GST1 MPXV4006GC6U MPXV4006G6U MPXV4115V6U MPXV4115V6T1 MPXV4115VC6U MPXV5004GC6U/T1 MPXV5004G6U/T1 MPXV5004GC7U MPXV5004G7U MPXY8010 MPXY8020 MPXY8030 MPXY8040 MMA6200xxQ 低重力加速度（low-g）傳感器 MPXA6115A 高溫集成壓力傳感器 MPXAZ6115A 耐抗高溫壓力傳感器 MPXH6115A 高溫集成壓力傳感器
MP3H6115A 高溫集成壓力傳感器 MPXHZ6115A 媒體耐抗的高溫集成壓力傳感器 MPXH6250A 集成壓力傳感器 MPXH6300A 壓力傳感器 MPXH6400A 集成壓力傳感器 等汽車(chē)用壓力傳感器
除42家合作伙伴外，中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心下設(shè)的中央實(shí)驗(yàn)室、區(qū)域?qū)嶒?yàn)室、合作伙伴聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室均已啟動(dòng)構(gòu)建及相關(guān)工作。CSB2000-C
為使5G在2020年具備商用能力，依托中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心，中國(guó)移動(dòng)與合作伙伴在5G關(guān)鍵技術(shù)研究及試驗(yàn)驗(yàn)證的合作取得進(jìn)展。8月16日，中國(guó)移動(dòng)和愛(ài)立信聯(lián)手完成運(yùn)營(yíng)商網(wǎng)絡(luò)控制的5G原型系統(tǒng)無(wú)人機(jī)試驗(yàn)，測(cè)試了5G技術(shù)場(chǎng)景下的潛在關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的可能性。
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HBM
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瑞士托利多
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Celtron稱重傳感器
梅特勒-托利多天平
主要有以下系列
AL、ML、MS、XS、XS3DCSB2000-CU、XP、XP6/XP2U、XP6-S
PL-L、PL-S、PL、ML
MS、XSX
具體型號(hào)如下
XP U
XP6U
XP2U
XP6
XP56 XP56DR
XP26 XP26DR
CSB2000-C
XP105DR XP204 XP203S XP802S XP2001S XP16000L
XP205 XP504 XP603S XP1202S XP4001S XP32000L
XP205DR XP504DR XP603SDR XP2002S XP6001S XP64000L
XP204S XP1203S XP4002S XP8001S
XP404S XP2003SDR XP4002SDR XP10001S
XP404SDR XP5003SDR XP6002S XP8001L
XP6002SDR XP16001L
XP8002S XP32001L
XP10002S XP32001LDR
XP10002SDR XP64001L
XS3DU XS105DU XS64 XS203S XS802S XS4001S XS16000L
XS205DU XS104 XS403S XS2002S XS6001S XS32000L
XS204 XS603S XS4002S XS8001S
XS204DR XS603SDR XS4002SDR XS8001L
XS1003S XS6002S XS16001L
XS6002SDR XS32001L
XS32001LDR
XS204SX XS603SX XS4002SX XS4001SX XS32000LX
XS1003SX XS6002SX XS32001LX XS64001LX
XS5003SXDR XS64001LX
MS105 MS104S MS303S MS1602S MS6001S
MS105DU MS204S MS303SE MS1602SE MS8001S
MS205DU MS304S MS403S MS3002S MS8001SE
MS603S MS3002SE
MS1003S MS4002S
MS4002SDR
MS6002S
MS6002SDR
MS12001L MS32000L
MS16001L MS32000LE
MS16001LE
MS32001L
MS32001LE
ML54 ML203 ML802 ML2001
ML104 ML203E ML802E ML4001
ML204 ML303 ML1502E ML6001
ML303E ML1602 ML60
CSB2000-C01E
ML503 ML3002
ML3002E
ML4002
ML4002E
AL104/01 PL203/01 PL2002/01 PL4001/01
AL204/01 PL303/01 PL3002/01
PL403/01 PL4002/01
PL-S PL83-S/01 PL1502-S/01
PL202-L PL601-L PL6000-L
PL402-L PL1001-L
PL602-L PL2001-L
PL4001-L
PL6001-L
電子行業(yè)中報(bào)業(yè)績(jī)喜人，逾7 層公司收入實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng): A 股電子元器件行業(yè)172 上市公司公布2016 年中報(bào)，其中111 家凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)，61 家下降，132 家營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)，40 家下降，凈利潤(rùn)和營(yíng)業(yè)收入同時(shí)增長(zhǎng)的公司有英唐智控等96 家，利潤(rùn)收入均下降的有同洲電子等25 家，業(yè)績(jī)?cè)龇兜墓居?2 家，其中麥達(dá)數(shù)字凈利潤(rùn)增幅，達(dá)7185.73%。
國(guó)內(nèi)NAND 閃存市場(chǎng)需求增長(zhǎng)強(qiáng)勁，將加速閃存芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程:日前，閃存產(chǎn)業(yè)的指標(biāo)性展會(huì)──2016 年閃存高峰會(huì)(2016Flash Memory Summit)在北京落幕，該峰會(huì)已經(jīng)連續(xù)兩年在中國(guó)舉行。TrendForce 集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(半導(dǎo)體觀察)預(yù)估2017 年中國(guó)市場(chǎng)所消耗的NAND Flash 量將占30%以上，2020 年消耗量將占逾40%，顯示出國(guó)內(nèi)NAND閃存市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)。
國(guó)內(nèi)快速發(fā)展的市場(chǎng)需求，引來(lái) NAND 閃存公司的注意。韓國(guó)三星在中國(guó)西安投資的 NAND 工廠已經(jīng)投產(chǎn)，主要產(chǎn)品為 3DNAND 閃存；英特爾（Intel）也把大連的封測(cè)工廠改造成 NAND 工廠，預(yù)計(jì) 2016 年底開(kāi)始小量生產(chǎn)，主力產(chǎn)品很有可能為 3DXPoint 閃存。
與此同時(shí)，國(guó)家政策也在大力助推國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)向前發(fā)展。此前總投資1600 億元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地已經(jīng)正式落戶武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于7 月26 日正式成立，武漢新芯成為其全資子公司。8 月24 日，湖北武漢市政府與紫光集團(tuán)在北京簽署《全面戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，雙方將圍繞國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目建設(shè)、集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金、新IT“云—網(wǎng)—端”全產(chǎn)業(yè)鏈等領(lǐng)域開(kāi)展全方位合作。
