- 企業(yè)類型：生產(chǎn)商
- 新舊程度：全新
- 產(chǎn)品價(jià)格：350000
- 原產(chǎn)地：北京
BMJD-400薄膜變溫低溫介電測(cè)量系統(tǒng)
關(guān)鍵詞：低溫，薄膜介電，真空
BMJD-400薄膜低溫介電測(cè)量系統(tǒng)低溫介電測(cè)量系統(tǒng)是一款科研級(jí)的精密變溫測(cè)試設(shè)備，應(yīng)用于低溫環(huán)境下材料、器件的導(dǎo)電、介電特性測(cè)量與分析，通過配置不同的測(cè)試設(shè)備，完成不同參數(shù)的測(cè)試。廣泛應(yīng)用于陶瓷、薄膜、半導(dǎo)體、食品、生物、制藥及其它固體材料的阻抗與介電性能測(cè)量。是目前國(guó)內(nèi)的薄膜低溫介電測(cè)試系統(tǒng)，是國(guó)內(nèi)各大高校和科研院所的！
一、主要用途：
1、測(cè)量以下參數(shù)隨溫度（T）、頻率（f）、電平（V）、偏壓（Vi）的變化規(guī)律：
2、測(cè)量電容（C）、電感（L）、電阻（R）、電抗（X）、阻抗（Z）、相位角（￠）、電導(dǎo)（G）、電納（B）、導(dǎo)納（Y）、損耗因子（D）、品質(zhì)因素（Q）等參數(shù)，
3、同時(shí)計(jì)算獲得反應(yīng)材料導(dǎo)電、介電性能的復(fù)介電常數(shù)（εr）和介質(zhì)損耗（D）參數(shù)。
4、可測(cè)試低溫環(huán)境下材料、器件的介電性能
5、可以根據(jù)用戶需求，定制開發(fā)居里溫度點(diǎn)Tc、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因素Qm及磁導(dǎo)率μ等參數(shù)的測(cè)量與分析。系統(tǒng)集低溫環(huán)境、溫度控制、樣品安裝于一體；具有體積小、操作簡(jiǎn)單控溫高等特點(diǎn)。
二、主要技術(shù)參數(shù)：
1、薄膜樣品尺寸：0-25MM
2、塊體樣品尺寸：0-25MM
3、樣品環(huán)境：真空
4、氣氛環(huán)境：液氮
5、變溫環(huán)境：-200。C-400。C
6、溫控及測(cè)量探頭：6芯真空免電磁干擾
7、測(cè)試方式：軟件控制，連續(xù)變溫，逐點(diǎn)控溫。
8、電壓信號(hào)：16位A/D轉(zhuǎn)換
9、溫度：0.01。C
10、極限真空度：5*10-2
11、校準(zhǔn)樣品：自動(dòng)校準(zhǔn)
