詢價
- 企業(yè)類型：貿(mào)易商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：中國
- 光學實驗導軌：800mm
- 半導體激光器：650nm 4mW
晶體電光效應實驗儀 型號:PP322-FJTDG1110
實驗內(nèi)容：
觀察會聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，
比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；
觀察測量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；
理解Pockels效應的工作機理，測量半波電壓，確定△n與E的線性關(guān)系，繪出調(diào)制曲線；
用外加電信號對晶體進行調(diào)制，實驗電信號的光傳輸；
理解工作點對調(diào)制、傳輸過程的影響。
儀器特點：采用半導體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實驗操作靈活、簡單；可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完*整、清*晰。
晶體電光效應實驗儀 型號:PP322-FJTDG1110
儀器參數(shù)：
光學實驗導軌800mm，半導體激光器650nm 4mW；激光功率計數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調(diào)檔；晶體的通光面積為5*5mm；驅(qū)動電壓Vmax≥1600V。
晶體電光效應實驗儀 型號:PP322-FJTDG1110
晶體電光效應實驗儀 型號:PP322-FJTDG1110
