SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
1.1 系統(tǒng)概述
SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是一款非常具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管參數(shù)測(cè)試圖示系統(tǒng)，是美國(guó)STI5000系列測(cè)試機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代機(jī)型，本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的 I-V 曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析， IQC 來(lái)料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門(mén)有廣泛的應(yīng) 用。系統(tǒng)生成的曲線都使用 ATE 系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是 6 to 20ms,通常上百 個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來(lái)，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入 EXCEL 等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
本系統(tǒng)使用方便，只需要通過(guò) USB 或者 RS232 與電腦連接，通過(guò)電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試。并可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)以 EXCEL 和 WORD 的格式保存。系統(tǒng)提供過(guò)電保護(hù)功能，門(mén)極過(guò)電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測(cè) 試。這些自我測(cè)試診斷被編成測(cè)試代碼,以提供自我測(cè)試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測(cè)。對(duì)診斷設(shè)備狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果提供了可靠地保證。
1.2 系統(tǒng)指標(biāo)
測(cè) 試 電 壓： ≤2KV
測(cè) 試 電 流： ≤100A
電壓分辨率： 1mV
電流分辨率： 0.1nA
測(cè) 試 精 度： 0.2%+2LSB
測(cè) 試 速 度： 約0.5ms/參數(shù)
測(cè) 試 方 式： 程控脈沖式
脈 沖 寬 度： 300us至5ms
規(guī) 格 尺 寸： 570*450*280mm
1.3 產(chǎn)品特點(diǎn)
測(cè)試范圍廣（19 大類(lèi)，27 分類(lèi)）
擴(kuò)展性強(qiáng)，支持電壓電流階梯式升級(jí)至 2000V,1250A
被測(cè)器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止，保證被測(cè)器件不受損壞
動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試精準(zhǔn)（主流的直流法測(cè)得，其結(jié)果與實(shí)際值偏差很大）
系統(tǒng)故障在線判斷定位設(shè)計(jì)，便于應(yīng)急處理排障
二極管極性自動(dòng)判別功能，無(wú)需人工操作
IV 曲線顯示 / 局部放大
過(guò)壓過(guò)流保護(hù)以防損壞器件
品種繁多的曲線
可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
曲線和數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到 EXCEL
1.4 測(cè)試能力
SC2010測(cè)試系統(tǒng)是專為測(cè)試半導(dǎo)體分立器件而研發(fā)設(shè)計(jì)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，能夠真實(shí) 準(zhǔn)確測(cè)試以下類(lèi)型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：
序號(hào) | 測(cè)試器件類(lèi)別 | 測(cè)試參數(shù)列表 |
1 | 二極管 DIODE | IR；BVR ；VF |
2 | 晶體管 TRANSISTOR | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEV ； IEBO ；BVCEO ；BVCBO ；BVEBO； HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
3 | J 型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
4 | 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET | IDSS ；IDSV；IGSSF； IGSSR ；VGSF ；VGSR ；BVDSS ；VGSTH ；VDSON、 VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
5 | 雙向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
6 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
7 | 絕緣柵雙極型晶體管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
8 | 硅觸發(fā)可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- |
9 | 達(dá)林頓陣列 DARLINTON | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEX ； IEBO ； BVCEO ； BVCER ； BVCEE ； BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON |
10 | 光電耦合器 OPTO-COUPLER | ICOFF 、 ICBO ； IR ； BVCEO ； BVECO ； BVCBO ； BVEBO ； ； CTR ； HFE ； VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
11 | 繼電器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ |
13 | 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR | Vout；Iin； |
14 | 光電開(kāi)關(guān) OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
15 | 光電邏輯 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
16 | 金屬氧化物壓變電阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
17 | 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 SSOVP | ID+ ID- ；VCLAMP+, VCLAMP- ；VT+ 、VT- ； IH+ 、 IH- ； ； IBO+ IBO-； VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
18 | 壓變電阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- |
19 | 雙向觸發(fā)二極管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
1.5 曲線列舉（部分）
MOSFET曲線
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
TRANSISTOR曲線
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）vs. IC
VBE（SAT）vs. IC
VBE（ON）vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.6 應(yīng)用領(lǐng)域
分立器件設(shè)計(jì)廠家、封裝廠器件測(cè)試、電子產(chǎn)品廠家來(lái)料檢驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)室選型配對(duì)、設(shè)備維修分析、高校器件教學(xué)、研究所器件設(shè)計(jì)等等。
