BJ2990 MOS管參數(shù)測試儀

    本儀器可對N溝道及P溝道大功率MOS場效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行測量。在測量注入可高達(dá)10A電流時的gm及RDS(on) 等晶體管圖示儀無法檢測的參數(shù)時，采用了國際電工委員會（IEC）所規(guī)定的脈沖法進(jìn)行測量，有效地避免了被測器件的發(fā)熱所引起的參數(shù)漂移和被測器件的破壞。

技術(shù)指標(biāo)：

（1）柵源截止電壓VGS(off)：0～±12V
（2）柵源閾值電壓VGS(th) ：0～±12V
（3）漏源短路時的柵源擊穿電壓V(BR)GSS：0～±1000V
（4）漏源擊穿電壓V(BR)DS：0～±1000V
（5）漏源短路時的柵極截止電流IGSS：1μA～100mA
（6）零柵壓時的漏極電流IDSS：1μA～100mA
（7）靜態(tài)漏源通態(tài)電阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）
（8）低頻跨導(dǎo)gm：1mS～100S (VDS=12V,  ID=0～10A脈沖測試)