存儲(chǔ)器IS61LV25616AL-10TL

產(chǎn)品參數(shù)：

 

 

　　品牌： ISSI
　　型號(hào)： IS61LV25616AL-10TL
　　封裝： TSOP44
　　批號(hào)： 2010+
　　類型： 通信IC
　　產(chǎn)品種類 SRAM
　　封裝-箱體 TSOP-II
　　工作電源電壓 3.3 V
　　存儲(chǔ)容量 4 Mbit
　　工作溫度 + 70 C
　　最小工作溫度 0 C
　　類型 Asynchronous
　　訪問(wèn)時(shí)間 10 ns
　　組織 256 K x 16
　　端口數(shù)量 Single
　　安裝風(fēng)格 SMD/SMT
　　工作電流 100 mA
　　接口 TTL

 

 

　　SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2 Cache）。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
　　SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （Asynchronous SRAM,異步SRAM）、Sync SRAM （Synchronous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM,流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。
　　基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器（decode），靈敏放大器（Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅(qū)動(dòng)電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

 

　　ISSI系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于數(shù)字消費(fèi)電子領(lǐng)域，包括：DVD、DVR、調(diào)制解調(diào)器、機(jī)頂盒、復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、手持掃描儀、手機(jī)、平板電腦、無(wú)線局域網(wǎng)及電腦的其他外圍設(shè)備。該系列產(chǎn)品包括DRAM、SRAM和串行EEOPROM,其中SDRAM產(chǎn)品容量從16M到256M,SRAM和EEPROM產(chǎn)品容量從1K至128K.
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　　SDRAM:1Mx16-4Mx16-8Mx16-16Mx16-2Mx32等等
　　NAND  FLASH:16M-32M-64M-128M-256M-512M-1GB-2GB-4GB-8GB-16G等等、
　　SRAM:256K-512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M（64x16-256x8-256X16-128x16-512x8-512x16-1024x8-1024x16-2048x8）
　　NOR FLASH:512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M-64M