海力士存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　品牌： HYNIX/海力士
　　型號： H57V1262GTR-75C
　　封裝： TSOP
　　批號： 2010+
　　類型： 存儲器
　　產(chǎn)品種類 SDRAM
　　封裝-箱體 960/2000
　　封裝 TSOP-54
　　組織 8Mx16
　　存儲容量 128M
　　最小工作溫度 0
　　工作溫度 70
　　工作電壓 3.3V

 

 

影響性能的主要時(shí)序參數(shù)
　　所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因?yàn)橐忻?、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時(shí)間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。
　　非數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應(yīng)該很明顯看出有三個(gè)參數(shù)對內(nèi)存的性能影響至關(guān)重要，它們是tRCD、CL和tRP.每條正規(guī)的內(nèi)存模組都會在標(biāo)識上注明這三個(gè)參數(shù)值，可見它們對性能的敏感性。
　　以內(nèi)存最主要的操作--讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進(jìn)行真正被讀取所花費(fèi)的時(shí)間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時(shí)可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時(shí)不用考慮CL即可）：
　　1.要尋址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關(guān)閉的，此時(shí)可直接發(fā)送行有效命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)為tRCD+CL,這種情況我們稱之為頁命中（PH,Page Hit）。
　　2.要尋址的行正好是前一個(gè)操作的工作行，也就是說要尋址的行已經(jīng)處于選通有效狀態(tài)，此時(shí)可直接發(fā)送列尋址命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)僅為CL,這就是所謂的背靠背（Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH,Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH,Page Direct Hit）。
　　3.要尋址的行所在的L-Bank中已經(jīng)有一個(gè)行處于活動狀態(tài)（未關(guān)閉），這種現(xiàn)象就被稱作尋址沖突，此時(shí)就必須要進(jìn)行預(yù)充電來關(guān)閉工作行，再對新行發(fā)送行有效命令。結(jié)果，總耗時(shí)就是tRP+tRCD+CL,這種情況我們稱之為頁錯(cuò)失（PM,Page Miss）。
　　顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。上述三種情況發(fā)生的機(jī)率各自簡稱為PHR--PH Rate、PFHR--PFH Rate、PMR--PM Rate.因此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員（包括內(nèi)存與北橋芯片）都盡量想提高PHR與PFHR,同時(shí)減少PMR,以達(dá)到提高內(nèi)存工作效率的目的。

 

 

 

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　　SDRAM:1Mx16-4Mx16-8Mx16-16Mx16-2Mx32等等
　　NAND  FLASH:16M-32M-64M-128M-256M-512M-1GB-2GB-4GB-8GB-16G等等、
　　SRAM:256K-512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M（64x16-256x8-256X16-128x16-512x8-512x16-1024x8-1024x16-2048x8）
　　NOR FLASH:512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M-64M