- 企業(yè)類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產(chǎn)地:中國(guó)
EM01-PV-III特點(diǎn):
1.一體化樣品臺(tái)技術(shù),兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品
2.新型樣品調(diào)節(jié)技術(shù),有效提高樣品定位高
3.獨(dú)特的噪聲處理方法,顯著增強(qiáng)信噪比
4.新型光電增強(qiáng)技術(shù),顯著降低生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)噪聲對(duì)結(jié)果的影響
5.增加現(xiàn)場(chǎng)供電檢測(cè)和調(diào)節(jié)功能,適應(yīng)更加復(fù)雜的供電環(huán)境
6.多種測(cè)量模式選擇,適合對(duì)不同要求的場(chǎng)合
7.多線程軟件結(jié)構(gòu),提高用戶體驗(yàn)
EM01-PV-III應(yīng)用領(lǐng)域:
單晶、多晶及各種薄膜太陽(yáng)能電池的折射率和膜厚測(cè)量領(lǐng)域,既適合科研院所研究使用,亦適合工廠進(jìn)行工藝研究分析和產(chǎn)線上產(chǎn)品檢測(cè)以及EM01系列激光橢偏
儀家族的傳統(tǒng)領(lǐng)域,包括半導(dǎo)體、集成電路、微電子、光學(xué)鍍膜、醫(yī)學(xué)與生命科學(xué)、電化學(xué)、平板顯示領(lǐng)域、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、聚合物、新材料、金屬處理等。
EM01-PV-III性能保證:
1.高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高的采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù),保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度;
2.高的光學(xué)自準(zhǔn)直望遠(yuǎn)系統(tǒng),保證了快速、高的樣品方位對(duì)準(zhǔn);
3.穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn),結(jié)合先進(jìn)的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測(cè)量;
4.分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和厚度的測(cè)量;
5.一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間;
6.專用軟件方便太陽(yáng)能電池測(cè)試和建模。
EM01-PV-III技術(shù)指標(biāo):
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激光波長(zhǎng) |
632.8nm (He-Ne laser) |
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膜層厚度 |
0.01nm (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) 0.05nm (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
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折射率 |
1x10-4 (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) 5x10-4 (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
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光學(xué)結(jié)構(gòu) |
PSCA |
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激光光束直徑 |
<1mm |
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入射角度 |
40°-90°可選,步進(jìn)5° |
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樣品方位調(diào)整 |
三維平移調(diào)節(jié):±12.5mm(X-Y-Z三軸) 二維俯仰調(diào)節(jié):±4° 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn) |
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樣品臺(tái)尺寸 |
Φ170mm |
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單次測(cè)量時(shí)間 |
0.2s |
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推薦測(cè)量范圍 |
0-2000nm |
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外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高) |
887 x 332 x 552mm (入射角為90o時(shí)) |
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儀器重量(凈重) |
25Kg |







