主要測(cè)試項(xiàng)目:
1. 晶體的串聯(lián)諧振頻率FS。
2. 晶體的負(fù)載諧振頻率FL。
3. 晶體的串聯(lián)諧振電阻RR。
4. 晶體的負(fù)載諧振電阻RL。
5. 晶體的靜電容C0。
6. 晶體的負(fù)載電容CL。
7. 晶體的頻差ppm或KHz。
技術(shù)指標(biāo):
1. 晶體頻率測(cè)量范圍:3―――60MHz。
2. 等效電阻測(cè)量范圍:0―――200Ω。
3. 靜電容測(cè)量范圍:?。皑D――20PF。
4. 負(fù)載電容的調(diào)整范圍:10―――40PF。
5. 激勵(lì)電平的調(diào)整范圍:10―――500uW。
6. 晶體等效電阻的測(cè)量誤差:≤5%。
7. 激勵(lì)電平誤差: ≤50%。
8. 工作溫度范圍: ?。保胆D――+35℃。
9. 時(shí)基穩(wěn)定度(10MHz): 5×10-7
10. 電源電壓: ?。玻玻埃謅c +/-10%。
11. 功耗: ≤15W。

