磁控濺射領(lǐng)域新突破,實(shí)現(xiàn)磁控濺射方式的變革,為磁控濺射增添新的發(fā)展空間,是磁控濺射方式的新探索。
技術(shù)參數(shù):
磁控濺射系統(tǒng)
4-6個(gè)磁控靶臺
DC源
RF源
Ar氣氣氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate
主要特點(diǎn):
超高真空磁控濺射
全部配備國外先進(jìn)泵組保證穩(wěn)定的真空
穩(wěn)定工作狀態(tài)
實(shí)現(xiàn)磁控濺射方式的分子級薄膜生長



