◆應(yīng)用領(lǐng)域
電化學(xué)教學(xué)、電化學(xué)分析、電化學(xué)合成、痕量元素檢測(cè)、電鍍工藝開發(fā)、電池材料研究、環(huán)境保護(hù)監(jiān)測(cè)、納米材料研制、電解、冶金、制藥、生物電化學(xué)傳感器、電化學(xué)腐蝕研究測(cè)量、超級(jí)電容特性測(cè)試分析、電池化成及特性測(cè)試分析。
◆電化學(xué)方法
線性掃描伏安法、線性掃描溶出伏安法、線性掃描循環(huán)伏安法、階梯伏安法、階梯溶出伏安法、階梯循環(huán)伏安法、方波伏安法、方波溶出伏安法、方波循環(huán)伏安法、差示脈沖伏安法、差示脈沖溶出伏安法、常規(guī)脈沖伏安法、差示常規(guī)脈沖伏安法、單電位階躍計(jì)時(shí)電流法、單電位階躍計(jì)時(shí)電量法、多電位階躍計(jì)時(shí)電流法、多電位階躍計(jì)時(shí)電量法、恒電位電解I-t曲線、恒電位電解Q-t曲線、恒電位溶出I-t曲線、恒電位溶出Q-t曲線、開路電勢(shì)E-t曲線、電位溶出E-t曲線、單電流階躍計(jì)時(shí)電位法、多電流階躍計(jì)時(shí)電位法、控制電流E-t曲線、塔菲爾圖TAFEL。
◆主要技術(shù)指標(biāo)
電位掃描范圍 ±10V
電位分辯率 0.1mV
恒電流 ±250mA
溫度穩(wěn)定性 <10uV/℃
輸入阻抗//電容 >1013Ω// <10pF
CV和LSV掃描速率 0.001～10000mV/s
D/A分辨率 16bit
A/D分辨率 24bit
電位激勵(lì)及測(cè)量 0.2%
電流激勵(lì)及測(cè)量 0.2%
電流測(cè)量量程 ±100nA～±250mA共14檔
儀器重量 <3kg
儀器尺寸 360×300×14(立方厘米)
電化學(xué)教學(xué)、電化學(xué)分析、電化學(xué)合成、痕量元素檢測(cè)、電鍍工藝開發(fā)、電池材料研究、環(huán)境保護(hù)監(jiān)測(cè)、納米材料研制、電解、冶金、制藥、生物電化學(xué)傳感器、電化學(xué)腐蝕研究測(cè)量、超級(jí)電容特性測(cè)試分析、電池化成及特性測(cè)試分析。
◆電化學(xué)方法
線性掃描伏安法、線性掃描溶出伏安法、線性掃描循環(huán)伏安法、階梯伏安法、階梯溶出伏安法、階梯循環(huán)伏安法、方波伏安法、方波溶出伏安法、方波循環(huán)伏安法、差示脈沖伏安法、差示脈沖溶出伏安法、常規(guī)脈沖伏安法、差示常規(guī)脈沖伏安法、單電位階躍計(jì)時(shí)電流法、單電位階躍計(jì)時(shí)電量法、多電位階躍計(jì)時(shí)電流法、多電位階躍計(jì)時(shí)電量法、恒電位電解I-t曲線、恒電位電解Q-t曲線、恒電位溶出I-t曲線、恒電位溶出Q-t曲線、開路電勢(shì)E-t曲線、電位溶出E-t曲線、單電流階躍計(jì)時(shí)電位法、多電流階躍計(jì)時(shí)電位法、控制電流E-t曲線、塔菲爾圖TAFEL。
◆主要技術(shù)指標(biāo)
電位掃描范圍 ±10V
電位分辯率 0.1mV
恒電流 ±250mA
溫度穩(wěn)定性 <10uV/℃
輸入阻抗//電容 >1013Ω// <10pF
CV和LSV掃描速率 0.001～10000mV/s
D/A分辨率 16bit
A/D分辨率 24bit
電位激勵(lì)及測(cè)量 0.2%
電流激勵(lì)及測(cè)量 0.2%
電流測(cè)量量程 ±100nA～±250mA共14檔
儀器重量 <3kg
儀器尺寸 360×300×14(立方厘米)
