優(yōu)勢:
波長 |
300 - 900nm(其余可選) |
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Y、D |
0.001°、0.01° (90° 時50次測量標(biāo)準(zhǔn)差) |
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長期穩(wěn)定性 |
TanY = ±0.001;CosD = ±0.001(90°超過1小時的測量) |
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膜厚 |
±1 ? for 100 nm SiO2 on Si |
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折射率 |
± 5x10-4 for 100 nm SiO2 on Si |
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厚度范圍 |
0.1nm-200μm |
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燈源 |
日本濱松光子氙燈(含強(qiáng)度自動優(yōu)化系統(tǒng)以自動選擇合適光強(qiáng)) |
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模型 |
Cauchy、EMA等 |
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光學(xué)結(jié)構(gòu) |
PSCA |
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高穩(wěn)定度補(bǔ)償器C;CosD=1 附近有較高 |
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起偏器P、補(bǔ)償器C、檢偏器A的位置自動跟蹤、以及自校準(zhǔn)功能 |
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光斑 |
<<1 mm;≈60 μm |
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分析 |
含退偏糾正 |
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光譜儀 |
背照式CCD、-15℃真空制冷 |
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入射角 |
10° - 90°連續(xù)可變追蹤布魯斯特角;0.0002° |
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自檢 |
90°自動校準(zhǔn);包括原始測試波形的自檢 |
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維護(hù) |
自動的內(nèi)部維護(hù)程序,檢查部件是否在正常工作 |
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數(shù)據(jù)庫 |
各種電介質(zhì)、薄膜、晶體及非晶半導(dǎo)體、金屬等的NK文件(數(shù)萬種)
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