《21天精通三晶變頻器維修》節(jié)選重點(diǎn)內(nèi)容


你是否還在為如何學(xué)好變頻器維修知識而一愁莫展，你是否又在對常握三晶變頻器的維修而期待。接下為這些內(nèi)容為三晶變頻器維修愛好者書籍，變頻器的保護(hù)及處理方法
　　1、 過電流保護(hù)功能
　　變頻器中,過電流保護(hù)的對象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值過了變頻器的容許值的情形.
　　由于逆變器件的過載能力較差,所以變頻器的過電流保護(hù)是的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.
　　(1) 三晶變頻器過電流的原因
　　1、工作中過電流 即拖動(dòng)系統(tǒng)在工作過程中出現(xiàn)過電流.其原因大致來自以下幾方面:
　?、?電動(dòng)機(jī)遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動(dòng)機(jī)構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動(dòng)機(jī)電流的突然增加.
　?、?變頻器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動(dòng)機(jī)之間的連接線發(fā)生相互短路,或電動(dòng)機(jī)內(nèi)部發(fā)生短路等.
　?、?變頻器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個(gè)逆變器件在不斷交替的工作過程中出現(xiàn)異常。例如由于環(huán)境溫度過高，或逆變器件本身老化等原因，使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化，導(dǎo)致在交替過程中，一個(gè)器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個(gè)器件卻還未來得及關(guān)斷，引起同一個(gè)橋臂的上、下兩個(gè)器件的“直通”，使直流電壓的正、負(fù)間處于短路狀態(tài)。
　　 2、升速時(shí)過電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而升速時(shí)間又設(shè)定得太短時(shí)，意味著在升速過程中，變頻器的工作效率上升太快，電動(dòng)機(jī)的同步轉(zhuǎn)速上升，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去，結(jié)果是升速電流太大。
　　 3、降速中的過電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而降速時(shí)間設(shè)定得太短時(shí)，也會引起過電流。因?yàn)?，降速時(shí)間太短，同步轉(zhuǎn)速下降，而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大，仍維持較高的轉(zhuǎn)速，這時(shí)同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線的速度太大而產(chǎn)生過電流。
　　 （2）處理方法
　　1、 三晶變頻器起動(dòng)時(shí)一升速就跳閘，這是過電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象，主要檢查
　?、?工作機(jī)械有沒有卡住
　?、?負(fù)載側(cè)有沒有短路，用兆歐表檢查對地有沒有短路
　?、?變頻器功率模塊有沒有損壞
　?、?電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩過小，拖動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來
　　2、 起動(dòng)時(shí)不馬上跳閘，而在運(yùn)行過程中跳閘，主要檢查
　　① 升速時(shí)間設(shè)定太短，加長加速時(shí)間
　　② 減速時(shí)間設(shè)定太短，加長減速時(shí)間
　?、?轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償（U/F比）設(shè)定太大，引起低頻時(shí)空載電流過大
　?、?電子熱繼電器整定不當(dāng)，動(dòng)作電流設(shè)定得太小，引起變頻器誤動(dòng)作


　電壓保護(hù)功能
　　1、 三晶變頻器過電壓保護(hù)
　　　產(chǎn)生過電壓的原因及處理方法：
　?、?電源電壓太高
　?、?降速時(shí)間太短
　?、?降速過程中，再生制動(dòng)的放電單元工作不理想，來不及放電，請?jiān)黾油饨又苿?dòng)電阻和制動(dòng)單元；
　　④ 請檢查放電回路有沒有發(fā)生故障，實(shí)際并不放電；對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞：
　　2、 欠電壓保護(hù)
　　 產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法：
　　① 電源電壓太低
　?、?電源缺相；
　?、?整流橋故障：如果六個(gè)整流二管中有部分因損壞而短路，整流后的電壓將下降，對于整流器件和晶閘管的損壞，應(yīng)注意檢查，及時(shí)更換。


2.逆變器件的介紹：
　　1.SCR和GTO晶閘管
　　 ⑴普通晶閘管SCR 曾稱可控硅，它有三個(gè)：陽，陰和門。
　　 SCR的工作特點(diǎn)是，當(dāng)在門與陰間加一個(gè)不大的正向電壓（G為+，K為—）時(shí)，SCR即導(dǎo)通，負(fù)載Rl中就有電流流過。導(dǎo)通后，即使取消門電壓，SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽電路的電壓為0或負(fù)值時(shí)，SCR才關(guān)斷。所以，要用一個(gè)脈沖信號，就可以控制其導(dǎo)通了，故它常用于可控整流。
　　 作為一種無觸點(diǎn)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無限的，并且導(dǎo)通的控制也十分方便。這是一般的“通-斷開關(guān)”所望塵莫及的，從而使實(shí)現(xiàn)異步電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速取得了。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的，而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷，因此，要實(shí)現(xiàn)逆變，還須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來幫助它關(guān)斷。所以，盡管當(dāng)時(shí)的變頻調(diào)速裝置在個(gè)別領(lǐng)域（如風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載）已經(jīng)能夠?qū)嵱?，但未能進(jìn)入大范圍的普及應(yīng)用階段。
　?、崎T關(guān)斷（GTO）晶閘管 SCR在一段時(shí)間內(nèi)，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的半導(dǎo)體器件。因此，針對SCR的缺點(diǎn)，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點(diǎn)上，并因此而開發(fā)出了門關(guān)斷晶閘管。
　　GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類似，它的三個(gè)也是：陽（A）、陰（K）和門（G）。其圖行號也和SCR相似，只是在門上加一短線，以示區(qū)別。
　　GTO晶閘管的基本電路和工作特點(diǎn)是：
　?、僭陂TG上加正電壓或正脈沖（開關(guān)S和至位置1）GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后，即使撤消控制信號（開關(guān)回到位置0），GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通?？梢姡珿TO晶閘管的導(dǎo)通過程和SCR的導(dǎo)通過程相同。
　?、谌缭贕、K間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖（開關(guān)和至位置2），可使GTO晶閘管關(guān)斷。
　　用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果，但其關(guān)斷控制較易失敗，故仍較復(fù)雜，工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時(shí)，大功率管（GTR）發(fā)展了起來，使GTO晶閘管相形見拙。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大，故在大容量變頻器中，仍居主要。


逆變器件的介紹：
　　上次我們向大家介紹了普通晶閘管（SCR）和門關(guān)斷晶閘管（GTO），重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的，它們起到什么作用！接下來我們講：
　　大功率晶體管（GTR）
　　大功率晶體管，也叫雙結(jié)型晶體管（BJT）。
　　1、 變頻器用的GTR一般都是達(dá)林頓晶體管（復(fù)合管）模塊，其內(nèi)部有三個(gè)分別是集電C、發(fā)射E和基B。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn)，在晶體管旁還并聯(lián)了一個(gè)反向連接的續(xù)流二管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn)，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
　　2、 工作時(shí)狀態(tài) 和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài)：
　?、欧糯鬆顟B(tài) 起基本工作特點(diǎn)是集電電流Ic的大小隨基電流Ib而變
　　 Ic=βIb
　　式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。
　　 GTR處于放大狀態(tài)時(shí)，其耗散功率Pｃ較大。設(shè)Uｃ=200V，Rｃ=10Ω，β=50，Iｂ=200ｍＡ（0.2Ａ）
　　計(jì)算如下：Iｃ= βIｂ=50*0.2A=10A
　　 Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V
　　 Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW
　　⑵飽和狀態(tài) Iｂ時(shí)，Iｃ隨之而的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當(dāng)
　　βIｂ＞Uｃ/Rｃ
　　 時(shí)，Iｃ=βIｂ的關(guān)系便維持了，這時(shí)，GTR開始進(jìn)入“飽和＂狀態(tài)。而當(dāng)
　　Iｃ的大小幾乎由歐姆定律決定，即 Ics≈Uc/Rc
　　時(shí)，GTR便處于深度飽和狀態(tài)（Ics 為飽和電流）。這時(shí)，GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。
　　GTR處于飽和狀態(tài)時(shí)的功耗是很小的。上例中，設(shè)Uces=2V，則
　　 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A
　　 Pc=UcesIcs=2*20W=40W
　　可見，與放大狀態(tài)相比，相差甚遠(yuǎn)。
　　 ⑶截止?fàn)顟B(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基電流Iｂ≤0的結(jié)果。
　　在截止?fàn)顟B(tài)，GTR只有很微弱的漏電流流過，因此，其功耗是微不足道的。
　　GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的，工作過程中，總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替。所以，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR處于放大狀態(tài)，其功耗將達(dá)百北以上。所以，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
　　3.主要參數(shù)
　?、旁诮刂?fàn)顟B(tài)時(shí) 
　?、贀舸╇妷篣ceo和Ucex：能使集電C和發(fā)射E之間擊穿的小電壓。基B開路是用
　　Uceo表示，B、E間接入反向偏壓時(shí)用Ucex 表示。在大多數(shù)情況下，這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。
　　②漏電流Iceo 和 Icex：截止?fàn)顟B(tài)下，從C流向E的電流。B開路時(shí)為 Iceo，B、E間反偏時(shí)為 Icex。
　　⑵在飽和狀態(tài)時(shí)
　?、?集電電流Icm：GTR飽和導(dǎo)通是的允許電流。
　?、?飽和壓降Uces：當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時(shí)，C、E間的電壓降。
　?、窃陂_關(guān)過程中
　?、?開通時(shí)間Ton：從B通入正向信號電流時(shí)起，到集電電流上升到0.9 Ics 所需要的時(shí)間。
　?、?關(guān)斷時(shí)間Toff：從基電流撤消時(shí)起，至Iｃ下降至0.1 Ics 所需的時(shí)間
　　開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常，使用GTR做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHｚ。
《21天精通三晶變頻器維修》　


　4.變頻器用GTR的選用 
　　⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
　　 Uceo≥2廠2U
　　在電源電壓為380V的變頻器中，應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。
　　⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來選擇
　　 Icm≥2廠2 In
　　 GTR是用電流信號進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率，這是其不足之處。


今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
　　1、 功率場效應(yīng)晶體管（POWER MOSFET） 它的3個(gè)分別是源S、漏D和柵G
　　其工作特點(diǎn)是，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。
　　但是，功率場效應(yīng)晶體管在擊穿電壓和電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)。
　　2、 緣柵雙晶體管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵為緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)分別是集電C、發(fā)射E和柵G。
　　工作特點(diǎn)是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻很高，柵電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電電流I。
　　至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電飽和電流已過1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已250KVA以上。
　　此外，其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動(dòng)機(jī)的電源波形比較平滑，基本無電磁噪聲。
　　目前，在新系列的中小容量變頻器中，IGBT已處于優(yōu)勢的！
　　近市場出現(xiàn)智能性模塊，模塊中包含了過電流、過電壓、低電壓、過熱等保護(hù)，我也相信在今后的發(fā)展中能和大家一起學(xué)習(xí)，共同維護(hù)好我們的使命


如果要正確的使用變頻器, 須認(rèn)真地考慮散熱的問題.
　　《21天精通三晶變頻器維修》變頻器的故障率隨溫度升高而成指數(shù)的上升。使用壽命隨溫度升高而成指數(shù)的下降。環(huán)境溫度升高10度，變頻器使用壽命減半。 因此，我們要重視散熱問題?。?br />　　在變頻器工作時(shí)，流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是大的，不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響
　　　　 通常，變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 
　　　　 發(fā)熱量的近似值＝ 變頻器容量（KW）×55 [W] 
　　　　在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的 (過流能力150% * 60s)
　　　　如果變頻器帶有直流電器或交流電器, 并且也在柜子里面, 這時(shí)發(fā)熱量會更大一些。 電器安裝在變頻器側(cè)面或測上方比較好。
　　　　這時(shí)可以用估算: 變頻器容量（KW）×60 [W] 
　　　　因?yàn)楦髯冾l器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產(chǎn)品.
　　注意： 如果有制動(dòng)電阻的話，因?yàn)橹苿?dòng)電阻的散熱量很大， 因此安裝位置和變頻器隔離開， 如裝在柜子上面或旁邊等。 
$ 那么, 怎樣采能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?
　　　　 當(dāng)變頻器安裝在控制機(jī)柜中時(shí)，要考慮變頻器發(fā)熱值的問題。
　　　　 根據(jù)機(jī)柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加，要適當(dāng)?shù)卦黾訖C(jī)柜的尺寸。因此，要使控制機(jī)柜的尺寸盡量減小，就須要使機(jī)柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少。
　　　　 如果在變頻器安裝時(shí)，把變頻器的散熱器部分放到控制機(jī)柜的外面，將會使變頻器有70％的發(fā)熱量釋放到控制機(jī)柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量，所以對大容量變頻器更加。
　　　　 還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。
　　　　　　　　注意：變頻器散熱設(shè)計(jì)中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的，橫著放散熱會變差的! 
＄ 關(guān)于冷卻風(fēng)扇
　　一般功率稍微大一點(diǎn)的變頻器， 都帶有冷卻風(fēng)扇。同時(shí)，也建議在控制柜上出風(fēng)口安裝冷卻風(fēng)扇。進(jìn)風(fēng)口要加濾網(wǎng)以灰塵進(jìn)入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風(fēng)扇都是要的，不能誰替代誰。
＄其他關(guān)于散熱的問題
　　　　1。 在海拔高于1000m的地方，因?yàn)榭諝饷芏冉档停虼藨?yīng)柜子的冷卻風(fēng)量以冷卻效果。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容，1000, , , m每-5%。但由于實(shí)際上因?yàn)樵O(shè)計(jì)上變頻器的負(fù)載能力和散熱能力一般比實(shí)際使用的要大， 所以也要看具體應(yīng)用。 比方說在1500m的地方，但是周期性負(fù)載，如電梯，就不要降容。
　　　　2。 開關(guān)頻率：變頻器的發(fā)熱主要來自于IGBT， IGBT的發(fā)熱有集中在開和關(guān)的。 因此開關(guān)頻率高時(shí)自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關(guān)頻率可以擴(kuò)容， 就是這個(gè)道理。


《21天精通三晶變頻器維修》


過熱保護(hù) 主要有以下幾點(diǎn)：
　　 ⑴風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)保護(hù) 變頻器的內(nèi)裝風(fēng)扇是箱體內(nèi)部散熱的主要手段，它將控制電路的正常工作。所以，如果風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)不正常，應(yīng)立即進(jìn)行保護(hù)。
　　 ⑵逆變模塊散熱板的過熱保護(hù) 逆變模塊是變頻器內(nèi)發(fā)生熱量的主要部件，也是變頻器中重要而又脆弱的部件。所以，各變頻器都在散熱板上配置了過熱保護(hù)器件。
　　 ⑶制動(dòng)電阻過熱保護(hù) 制動(dòng)電阻的標(biāo)稱功率是按短時(shí)運(yùn)行選定的。所以，一旦通電時(shí)間過長，就會過熱。這時(shí)，應(yīng)暫停使用，待冷卻后再用?；蜻x用較大一點(diǎn)功率電阻。
　　 ⑷冷卻風(fēng)道的入口和出口不得堵塞，環(huán)境溫度也可能高于變頻器的允許值。


本文選自于《21天精通三晶變頻器維修》
 
  
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