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1、芯片的主要特點(diǎn)：
● 全電壓輸入，恒壓可控制±5%以內(nèi)；
● 全電壓范圍內(nèi)高恒流調(diào)節(jié)；
● 原邊控制外驅(qū)動MOS芯片；
● 逐周期電流限制
● VDD低壓滯后閉鎖(UVLO)；
● 啟動電流（典型值 1uA）；
● 帶可調(diào)線損補(bǔ)償 ；
● 內(nèi)置短路保護(hù)、VDD過壓保護(hù)；
● 內(nèi)置初級繞組電感補(bǔ)償；
● 內(nèi)置反饋回路打開保護(hù)；
● 內(nèi)置前沿消隱；
● 采用SOT23-6封裝 
