三洋高分子聚合物電容的詳細描述：
    POSCAP三洋高分子電容 POSCAP因為在陽采用鉭燒結體(APA系列為鋁箔)，在陰里采用獨自的做法使高分子半導體形成具有高度的導電性能，不使得形狀大幅度變小,高度變低,等效串聯(lián)電阻(R) 變小。并且擁有出色的高頻率特性, 為適合電子設備的數(shù)字化, 高頻化的小型化電容器。同時也具有性高,耐熱性的特性。特征: 1.采用導電性高分子以實現(xiàn)等效串聯(lián)電阻(R)小作為頻率的一個功率,高頻率用于除去噪聲時的狀態(tài)是容許紋波電流，適合用于轉換電流的平滑電容器以及個人電腦CPU周圍負載變化中的保護電容器。 2.無鉛化對應端子上采用鍍和金(金-鈀), 內(nèi)部材料均不使用鉛。 3.長壽命105℃ x 2000小時因為采用在高溫穩(wěn)定性中表現(xiàn)出色的導電性高分子，可實現(xiàn)105℃&tim;2,000小時的長壽命。 ※ 除去一部分機種。 4.在下55℃時平定的溫度特性由于能夠生成周密,貼付性好的導電性高分子，所以對阻,R溫度影響小,可廣泛應用于各種設備 5.高溫沖擊電流特性根據(jù)導電性高分子的自我能力，可20A的沖擊電流。 6.高度的焊接耐壓性能(240℃，10秒) 由于擁有240℃10秒的焊接耐熱性，可對應于流程中的焊接。可以實現(xiàn)10μF～1000μF的大容量范圍廣泛應用于AP系列，TP系列，TH系列,，TQ系列的容量范圍。萬一出故障時與鉭電容相比具有很高的性用途: 數(shù)碼相機，DVD播放機，個人電腦，導航系統(tǒng)，HDD，手機，各種攜帶終端機器的噪聲過濾器和接應迂回道路電容器等。

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