用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 　　具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合，這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。 　　瓷片電容只要針對于高頻，高壓瓷片電容取決于你使用在什么場合，典型作用可以消除高頻干擾。 　　優(yōu)點 　　1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性 　　2.的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓長期工作性 　　3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)

高壓型陶瓷電容器(HIGH VOLTAGE 1KV～3KV TYPE)1.特點及用途(FEATUR & APPLICATIONS)　　高壓型陶瓷電容器具有耐直流高壓的特點，適用于高壓旁路和耦合電路中.其中的低損耗高壓圓片瓷介電容器具有較低的介質(zhì)損耗，適合在電視接收機的行掃描等電路中使用。2.技術(shù)指標(biāo)(SPECIFICATIONS)電容量(capacitance)18pF～33000pF電容量允許偏差(capacitance tolerance)K(&plun;10%),M(&plun;20%),Z( 80%-20%)使用溫度(operating temperature)-25℃～85℃溫度特性(temperature characteristic)Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R額定電壓(rated voltage)1KVDC,2KVDC,3KVDC損耗角正切值(dissipation factor)(tgδ)Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0%BN: tgδ≤0.5%Y5R: tgδ≤0.2%SL:Cr<30pF,Q≥400 20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000Ⅰ類:1MHz,1&plun;0.2Vrms,25℃Ⅱ類:1KHz,1&plun;0.2Vrms,25℃緣電阻(insulation ristance)(IR)IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC耐電壓(voltage proof)1.5Ur 500測試電壓(tting voltage)2 tim the rated voltage or 1.5 timthe rated voltage 500V（whichever is aller）1分鐘無擊穿，無飛弧封裝(encapsulation)1KV:酚醛樹脂≥2KV:環(huán)氧樹脂3.電容量與尺寸對照表額定電壓產(chǎn)品尺寸溫度特性引線間距直徑厚度Y5P