MXY8001光電技術(shù)應(yīng)用開發(fā)綜合實驗平臺是針對高校關(guān)于導(dǎo)軌式光學(xué)實驗的需求設(shè)計的一款實驗平臺。由光學(xué)導(dǎo)軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺、線/面陣CCD相機的原理與應(yīng)用及數(shù)據(jù)采集輸入輸出端口和線/面陣CCD相機數(shù)據(jù)采集軟件等部分構(gòu)成,平臺配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源,可為學(xué)生搭建各種實驗電路提供電源。學(xué)生能夠利用平臺自行搭建各種光學(xué)系統(tǒng)、光電傳感器的變換及處理電路,完成各種關(guān)于光電技術(shù)方面的應(yīng)用開發(fā)設(shè)計,從各方面學(xué)生的動手動腦能力及意識,幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。
二、教學(xué)目的
1、了解并掌握各種光學(xué)配件及其實驗的原理和應(yīng)用;
2、了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路;
3、了解CPLD的應(yīng)用開發(fā)技術(shù);
三、實驗內(nèi)容
在平臺配件的支持下能夠完成下述實驗內(nèi)容:
光電技術(shù)實驗:
1、光源發(fā)光光譜特性實驗;
2、光源發(fā)個角度特性實驗;
3、光度輻射度參數(shù)測量的實驗;
4、光敏電阻特性參數(shù)及其測量;
5、光敏電阻伏安特性實驗;
6、光敏電阻的變換電路;
7、光敏電阻時間響應(yīng)特性;
8、光電二管光照靈敏度的測量;
9、光電二管伏安特性的測量;
10、光電二管時間響應(yīng)特性的測量;
11、硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的基本特性;
12、測試硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的典型特性參數(shù);
13、測量硅光電池在反向偏置下的時間響應(yīng);
14、PIN光電二管特性實驗;
15、光電三管光照靈敏度的測量;
16、光電三管伏安特性的測量;
17、光電三管時間響應(yīng)的測量;
18、光電三管光譜特性的測量;
19、光電耦合器電流傳輸比的測量;
20、光電耦合器件伏安特性的測量;
21、光電耦合器件時間相應(yīng)的測量;
22、光電開關(guān)的應(yīng)用實驗;
23、光電耦合器件的隔離特性的測量;
24、熱釋電器件基本原理實驗;
25、熱釋電器件光譜響應(yīng)的測試實驗;
26、PSD位移傳感器特性參數(shù)的測量;
27、光電管陽暗電流Id的測量;
28、光電管陽光照靈敏度Sa的測量;
29、光電管的靈敏度Sa與電源電壓Ubb的關(guān)系
30、光電管的電流增益G的測量;
31、二象限光電傳感特性實驗;
32、雪崩光電二管(APD)特性實驗;
33、測量LED正向電壓;
34、測量LED反向電壓;
35、測量LED的正、反向工作電流;
36、測量發(fā)光光源中心軸空間角;
37、測量發(fā)光光源的半發(fā)光強度的角度;
38、測量發(fā)光光源中心軸與機械軸的偏差角;
39、測量LED的發(fā)光光譜;
40、測量LD半導(dǎo)體激光器的發(fā)光光譜;
光電檢測技術(shù)實驗:
1、線陣CCD原理與驅(qū)動實驗;
2、線陣CCD測徑實驗;
3、線陣CCD角度測量實驗;
4、利用線陣CCD識別條碼;
5、利用線陣CCD測量物置和振動;
6、利用線陣CCD進(jìn)行物體掃描;
7、光柵與莫爾條紋;
8、利用夫瑯和費衍射進(jìn)行的測量;
9、面陣CCD原理與驅(qū)動實驗;
10、利用面陣CCD測量物體外形尺寸;
11、利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓;
12、利用面陣CCD進(jìn)行圖像采集與參數(shù)設(shè)置;
13、利用面陣CCD進(jìn)行投影與差影圖像分析;
14、利用面陣CCD進(jìn)行圖像的濾波與增強;
15、利用面陣CCD進(jìn)行形態(tài)學(xué)處理;
16、利用面陣CCD進(jìn)行物體的旋轉(zhuǎn)與縮放;
17、利用面陣CCD對顏色識別;
18、利用面陣CCD進(jìn)行圖像信息的點運算;
19、利用面陣CCD進(jìn)行圖像的幾何變換;
20、利用面陣CCD進(jìn)行數(shù)據(jù)采集實驗;







