用GaN形成的藍光LED1993年，當時在日本Nichia Corporation（日亞化工）工作的中村修二（Shuji Nakamura）發(fā)明了基于寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的具有商業(yè)應用價值的藍光LED，這類LED在1990 年代后期得到廣泛應用。理論上藍光LED結合原有的紅光LED和綠光LED可產(chǎn)生白光，但白光LED卻很少是這樣造出來的。 發(fā)光二管 現(xiàn)時生產(chǎn)的白光LED大部分是通過在藍光LED(near-UV，波長450nm至470nm)上覆蓋一層淡黃色熒光粉涂層制成的，這種黃色磷光體通常是通過把摻了鈰的釔鋁石榴石(Ce3+:YAG)晶體磨成粉末后混和在一種稠密的黏合劑中而制成的。當LED芯片發(fā)出藍光，部分藍光便會被這種晶體很地轉換成一個光譜較寬（光譜中心約為580nm）的主要為黃色的光。（實際上單晶的摻Ce的YAG被視為閃爍器多于磷光體。）由于黃光會刺激肉眼中的紅光和綠光受體，再混合LED本身的藍光，使它看起來就像白色光，而其的色澤常被稱作“月光的白色”。這種制作白光LED的方法是由Nichia Corporation所開發(fā)并從1996年開始用在生產(chǎn)白光LED上。若要調(diào)校淡黃色光的顏色，可用其它稀土金屬鋱或釓取代Ce3+:YAG中摻入的鈰(Ce)，甚至可以以取代YAG中的部份或鋁的方式做到。而基于其光譜的特性，紅色和綠色的對象在這種LED照射下看起來會不及闊譜光源照射時那么鮮明