技術參數(shù)
1、掃描分辨率:2μm;
2、平均曲率分辨率:<2e-5(1/m)1-sigma(50km radius)1-sigma;
3、平均翹曲測量重復性:<5e-6(radians)1-sigma;
4、平均曲率重復性:<2×10-5 1/m(1sigma)
主要特點
1、程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點線性掃描、積掃描;
2、實時原位成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應力成像分析;
3、實時原位測量功能:曲率、曲率半徑、應力強度、應力和翹曲等;
4、支持裝在各種真空沉積設備或表面處理設備上(如:E,MOCVD,sputtering,PLD,PECVD,and annealing chaers ects)。
采用非接觸激光MOS技術;不但可以的對樣品表面應力分布進行統(tǒng)計分析,而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析;
該設備已經(jīng)廣泛被高等學府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學等)、半導體制和微電子造商(如IBM。,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Gl Corporation)等所采用;
相關產(chǎn)品:
薄膜應力儀(薄膜應力測量儀):為測量系統(tǒng),同樣采用的MOS技術,詳細信息請與我們聯(lián)系。






